刘磊

刘磊    

中国科学院半导体研究所

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[发明专利] 单模光子晶体垂直腔面发射激光器及其制备方法 - CN103107482A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:2013.01.29 主分类号:H01S5/183(2006.01)I

本发明提供了一种单模光子晶体垂直腔面发射激光器及其制备方法。该单模光子晶体垂直腔面发射激光器,利用透明导电层透光和导电特性,使得电流均匀的注入有源区,从而解决了电流注入问题,提高了单模输出功率

[发明专利] 单光路量子效率测试系统 - CN101398453

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:2007.09.26 主分类号:G01R31/00(2006.01)I

一种单光路量子效率测试系统,包括:一卤钨灯 光源、一凸透镜、一光斩波器;一单色仪,卤钨灯光 源、凸透镜和光斩波器位于该单色仪输入光入口的光 路上;一锁相放大器,其频率参考输入端与光斩波器 斩波

[发明专利] 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 - CN101463499

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:2007.12.19 主分类号:C30B29/40(2006.01)I

为使GaSb基InAsxSb1-x材料实际应用到长波长红外探测器中,本发 明提供一种在GaSb衬底上生长InAsxSb

[发明专利] 圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器及复合波导装置 - CN103166108A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:2013.03.15 主分类号:H01S5/22(2006.01)I

本发明公开了一种用于改善边发射激光器二维远场形貌的光子晶体复合波导装置,该结构由平行于异质节方向的脊波导结构和垂直于异质节方向非对称的光子晶体结构组合构成,两者结合来实现激光器的低发散角和圆斑

[发明专利] 超低发散角倾斜光束单纵模人工微结构激光器 - CN103199435A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:2013.03.25 主分类号:H01S5/065(2006.01)I

一种超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器,包括:一衬底和在衬底上制作的N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型欧姆接触层、绝缘层,一P型电极制作在绝缘层上;一

[发明专利] 低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列 - CN103219650A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:2013.03.29 主分类号:H01S5/22(2006.01)I

本发明公开了一种低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列,包括:N型衬底;形成于该N型衬底之上的N型缓冲层;形成于该N型缓冲层之上的N型啁啾光子晶体波导;形成于该N型啁啾光子晶体波导

[发明专利] 基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器 - CN103227416A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:2013.03.25 主分类号:H01S5/065(2006.01)I

一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器,包括:一衬底;在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层,该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构,脊形

[发明专利] 低发散角单纵模边发射光子晶体激光器 - CN103259188A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:2013.05.02 主分类号:H01S5/065(2006.01)I

一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器,包括:在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层,该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构,其上部的一侧为整体结构

[发明专利] 一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列 - CN103326244A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:2013.06.19 主分类号:H01S5/40(2006.01)I

本发明涉及半导体光电子器件技术领域,公开了一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列。该阵列利用光子晶体对激光器阵列输出的模式进行相位调制,产生高亮度且水平远场单瓣分布的激光输出。该阵

[发明专利] 基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列 - CN103326243A

申请人:中国科学院半导体研究所 申请年:2013.03.29 主分类号:H01S5/40(2006.01)I

本发明公开了一种基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列,包括:N型衬底;形成于该N型衬底之上的N型缓冲层;形成于该N型缓冲层之上的N型限制层;形成于该N型限制层之上的有源层;形成于
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