朱慧珑

朱慧珑    研究员

中国科学院微电子研究所

研究员;千人计划;硕、博士导师【学科领域】


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其它


[发明专利] 半导体器件 - CN102956699A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:2011.08.22 主分类号:H01L29/78(2006.01)I

本申请公开了一种半导体器件,包括:在超薄半导体层中形成的源/漏区;在超薄半导体层中形成的位于源/漏区之间的沟道区;位于沟道区上方的前栅叠层,所述前栅叠层包括前栅和位于前栅和沟道区之间的前栅介质

[发明专利] 基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列及其制作方法 - CN102931201A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:2011.08.11 主分类号:H01L27/146(2006.01)I

本发明提供一种基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,包括位于基底的多个聚能微镜单元,所述的聚能微镜单元包括通孔、微透镜,所述通孔的上端口不小于下端口,上端口与下端口之间为通孔的侧壁;所述微透镜覆盖

[实用新型] 一种半导体结构 - CN202651088U

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:2011.02.27 主分类号:H01L21/8234(2006.01)I

本实用新型提供一种半导体结构,该半导体结构包括衬底、源/漏区、栅堆叠结构、层间介质层、接触塞,其中:所述栅堆叠结构形成于所述衬底之上,包括栅介质层以及栅极;所述源/漏区形成于所述衬底之中,且位

[发明专利] 一种半导体结构及其制造方法 - CN102856197A

申请人:中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 申请年:2011.06.27 主分类号:H01L21/336(2006.01)I

本发明提供了一种半导体结构的制造方法,该方法包括:提供SOI衬底,并在所述SOI衬底上形成栅极结构;刻蚀所述栅极结构两侧的所述SOI衬底的SOI层和BOX层,以形成暴露所述BOX层的沟槽,该沟

[发明专利] 化学机械抛光设备及化学机械抛光方法 - CN102756323A

申请人:中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 申请年:2011.04.27 主分类号:B24B29/02(2006.01)I

一种化学机械抛光设备及化学机械抛光方法,所述化学机械抛光设备包括:抛光头、与所述抛光头相连的轴杆、抛光盘,设置于所述抛光盘上的抛光垫,带动所述抛光垫线性运动的第一传动部件,还包括与所述轴杆相连

[发明专利] 晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法 - CN102569393A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:2010.12.17 主分类号:H01L29/78(2006.01)I

本发明涉及晶体管、包括该晶体管的半导体器件以及所述晶体管和所述半导体器件的制造方法。根据本发明的晶体管包括:衬底,至少包括顺序堆叠的基底层、第一半导体层、绝缘层和第二半导体层;形成在第二半导体

[发明专利] MOSFET及其制造方法 - CN102487083A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:2010.12.03 主分类号:H01L29/78(2006.01)I

本申请公开了一种MOSFET及其制造方法,其中所述MOSFET包括SOI晶片,所述SOI晶片包括底部半导体衬底、第一氧化物埋层和第一半导体层;源区和漏区,形成在SOI晶片上方的第二半导体层中,

[发明专利] 半导体结构及其制造方法 - CN102386226A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:2010.08.31 主分类号:H01L29/78(2006.01)I

本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明能够增强沟道区应力,从而提高载流子迁移率,改善器件性能,同时能够减少器件所用面积,进而降低制造成本。本发明的半导体结构包括:半导体衬底;沟道区,形

[发明专利] 半导体结构及其形成方法 - CN102104070A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:2009.12.21 主分类号:H01L29/78(2006.01)I

本发明提出一种半导体结构,包括:衬底;形成在所述衬底之上的栅堆叠,其中,所述栅堆叠包括高K栅介质层和含氧的金属栅极;形成在所述栅堆叠两侧的一个或多个侧墙;和形成在所述衬底之中的源极和漏极。本发

[发明专利] 制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构 - CN103021854A

申请人:中国科学院微电子研究所 申请年:2011.09.28 主分类号:H01L21/336(2006.01)I

本发明涉及制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构。提供一种制作FinFET的方法,包括:提供Si半导体衬底,在所述Si半导体衬底上的SiGe层以及在所述SiGe层上的Si层,其中所
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