成果名称 ---【 坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅-钛酸铅单晶 】

基本信息
所属机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
立项名称
新型压电单晶的生长及应用基础研究
成果属性
1
主题词
铌铟酸铅-钛酸铅单晶;坩埚下降法生长;高居里点
研究起止时间
1999.09 至2001.08
成果公报内容
本成果涉及晶体生长技术与工艺,提供了一种生长高居里点弛豫基铁电单晶--铌铟酸铅钛酸铅(PINT)固溶体单晶的方法,属晶体生长领域。本成果提供的制备方法,包括了原料配比、坩埚下降法晶体生长一系列完整的单晶生长过程,坩埚下降速率为0.1-2mm/h,以异质同构的PMNT单晶作为籽晶,选用密封的铂坩埚作为生长坩埚。用本成果的技术,在优化条件下,可以生长出直径大于40mm,长度大于60mm的铌铟酸铅钛酸铅固溶体单晶,其d33大于2000pC/N,k33大于90%,晶体结构完整,不仅可以满足新一代高性能超声成像及高应变驱动器对压电材料性能的要求,而且可以满足其对压电材料的使用温度的要求。
相似专利

[发明专利] 一种铌酸镓镧单晶的制备方法
发明人:王升; 郑燕青; 殷利斌; 涂小牛; 熊开南; 孔海宽; 施尔畏 申请日:2019-07-25

[发明专利] 一种晶体原位碳化退火装置及方法
发明人:高攀; 忻隽; 孔海宽; 刘学超; 施尔畏 申请日:2019-07-16

[发明专利] 一种钨酸镧(钆)钠晶体的生长方法
发明人:陈良; 熊巍; 袁晖; 周尧 申请日:2019-02-21

[发明专利] 用于CsB4O6F晶体生长的双层坩埚及CsB4O6F晶体生长方法
发明人:王晓洋;刘丽娟;陈创天 申请日:2018-06-01

[发明专利] 一种高温相偏硼酸钡晶体的制备方法
发明人:王升;郑燕青;涂小牛;熊开南;孔海宽;施尔畏 申请日:2018-05-29

相似科技成果

一类压电单晶体及其生长方法
主题词:[ ] 单位名称:中国科学院上海硅酸盐研究所

一类压电单晶体及其生长方法
主题词:[ ] 单位名称:中国科学院上海硅酸盐研究所

坩埚下降法大尺寸钨酸铅晶体的制备
主题词:[钨酸铅;大尺寸;制备技术] 单位名称:中国科学院上海硅酸盐研究所

硼磷酸钠晶体的熔体生长方法
主题词:[硼磷酸钠晶体;坩埚下降生长法;透光波段] 单位名称:中国科学院理化技术研究所

锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
主题词:[锗酸镓锶压电晶体;坩埚下降法生长方法;提拉法生长] 单位名称:中国科学院上海硅酸盐研究所

     分享到:0


| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器