成果名称 ---【 一种弯曲形压电单晶片的制备方法 】

基本信息
所属机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
成果属性
应用技术
主题词
弯曲形;压电单晶片;压电材料;基底材料
研究起止时间
2011-09 ~2013-03
成果公报内容
本发明公开了一种弯曲形压电单晶片的制备方法,该方法是首先选取基底材料,按所需尺寸切割;然后制作弯曲模具,采用冲压加工工艺,制得具有所需弯曲度和弯曲形状的基底材料;采用粘结剂将已极化的压电材料粘接在弯曲的基底材料的凸面上;将样品放入四角带定位孔的两平行金属板之间,施加压力,使弯曲基底材料的下表面与金属板完全接触,再用螺钉固定金属板;放入烘箱中固化;最后自然冷却至室温后取出即可。本发明的制备方法可以在低温下操作,最高制备温度只有100℃,且不需要对压电材料进行二次极化,还可以根据需要改变基底材料的弯曲度和弯曲形状。


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