成果名称 ---【 硼磷酸钡单晶的熔盐生长方法 】

基本信息
所属机构
中国科学院理化技术研究所
主题词
硼磷酸钡单晶;熔盐生长方法;饱和温度
研究起止时间
2000.02 至2001.07
成果公报内容
本发明涉及硼磷酸钡单晶的熔盐生长方法,步骤为:1)将硼磷酸钡与助熔剂按比例混匀,加热升温至900℃-1100℃,恒温后,再冷却至饱和温度之上2-10℃,得到含硼磷酸钡和助熔剂的混合熔体;助熔剂为BPO4-R体系或Li4P2O7助熔剂;其摩尔混配比:硼磷酸钡:BPO4-R体系助熔剂=1: 0.2-1.5: 0.1-0.6;硼磷酸钡:Li4P2O7助熔剂=1:0.2-1.6;2)把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤(1)制备的混合熔体中,同时以0-100转/分的旋转速率旋转籽晶杆,冷却到饱和温度,然后以0.5-5℃/天的速率缓慢降温,得到所需晶体,将晶体提离液面,以10-100℃/小时的速率降至室温,即得到硼磷酸钡单晶;该方法可生长30 mm×30mm×20mm透明大单晶,晶体具有透光波段宽,机械性能好,不易碎裂,不潮解,易加工保存等优点。


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