成果名称 ---【 HgCdTe的材料芯片方法研究 】

基本信息
所属机构
中国科学院上海技术物理研究所
立项名称
HgCdTe的材料芯片方法研究
成果属性
1
主题词
碲镉汞;芯片
研究起止时间
2003.01 至2005.12
成果公报内容
本项目主要针对红外焦平面器件工艺要求进行的创新性基础研究,其中最突出的方面石采用了材料芯片技术实现了对工艺条件的统计性研究,为焦平面工艺提供了最优离子注入剂量的数据库。 根据项目任务书提出的目标和所设定的研究重点,具体完成了以下几个方面的研究工作: (1)针对HgCdTe材料在光伏型焦平面探测器应用中用于形成核心结构p-n结的离子注入工艺,实现了根据设定的剂量分布要求而进行64个不同离子注入剂量单元在单片上集成的组合材料芯片设计方法;(2)根据离子注入的具体工艺,实现了与HgCdTe焦平面器件工艺相兼容的组合材料芯片制备;(3)实现了材料芯片的低温I-V监测技术,通过数据拟合获取了体现HgCdTe光伏型器件质量的核心参量ROA。 通过上述3方面的工作,成功地建立了组合材料芯片技术在HgCdTe材料与器件特性工艺优化中的应用,同时明确地显示了B离子在HgCdTe材料中进行注入的离子剂量对p-n结退火效应对p-n结阻抗影响的统计规律。
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