成果名称 ---【 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 】

基本信息
所属机构
中国科学院半导体研究所
主题词
硅衬底 氮化镓 自支撑 衬底材料 生长方法
研究起止时间
成果公报内容
本发明涉及半导体材料技术领域,是在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法。该方法包括步骤:a)首先在硅衬底上用金属有机物化学气相淀积工艺生长一层缓冲层;b)然后用金属有机物化学气相淀积生长一层结晶层;c)用卤化物气相外延工艺生长一层氮化镓(GaN)厚膜;d)反复交错对步骤2、步骤3多次重复,成多层结构,直至生长出厚度复合要求的氮化镓(GaN)厚膜衬底材料;e)采用化学腐蚀方法将硅衬底去除,以得到自支撑的氮化镓厚膜。200410009858.0
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