成果名称 ---【 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 】

基本信息
所属机构
中国科学院半导体研究所
主题词
应变调制掺杂法 制备 P型氧化锌半导体 薄膜材料
研究起止时间
成果公报内容
本发明涉及一种利用应变调制掺杂法制备P型氧化锌(ZnO)半导体薄膜材料的方法。该方法是利用氧化锌和氧化镁锌两者的压电激化效应和两者之间的晶格失配,在氧化锌和氧化镁锌超晶格之中调制掺入P型杂质并退火。利用氧化锌和氧化镁锌之间的应变以及由应变造成的极化电场,加强P型杂质的离化并实现氧化锌的P型导电。本发明方法克服了氧化锌中P型掺杂元素电离能高和溶解度小所带来的不易实现氧化锌(ZnO)的P型掺杂的困难,制备出高质量的P型氧化锌(ZnO)薄膜材料,提供了一种新的做激光器件的材料。200410009856.1
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