成果名称 ---【 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 】

基本信息
所属机构
中国科学院半导体研究所
主题词
制备绝缘体 锗硅薄膜材料
研究起止时间
成果公报内容
一种制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法,其特征在于,步骤如下:a.利用气固源分子束外延设备以绝缘体上硅为衬底材料外延生长锗硅合金薄膜;b.再在氧化气氛的石英管式退火炉中进行高温退火处理;c.用湿化学腐蚀法或化学机械抛光法除去材料表面的氧化层。本发明的方法具有工艺路线简单,成本低和适宜于小批量生产的优点,特别是用于制备高锗组分、超薄型绝缘体上锗硅薄膜材料的研制,该材料可作为进一步外延生长绝缘体上应变硅材料(sSOI)的衬底使用而将在高性能硅基CMOS器件的研制中获得广泛应用。200410009861.2
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