成果名称 ---【 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 】

基本信息
所属机构
中国科学院半导体研究所
主题词
制备绝缘体 锗硅薄膜材料
研究起止时间
成果公报内容
一种制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法,其特征在于,步骤如下:a.利用气固源分子束外延设备以绝缘体上硅为衬底材料外延生长锗硅合金薄膜;b.再在氧化气氛的石英管式退火炉中进行高温退火处理;c.用湿化学腐蚀法或化学机械抛光法除去材料表面的氧化层。本发明的方法具有工艺路线简单,成本低和适宜于小批量生产的优点,特别是用于制备高锗组分、超薄型绝缘体上锗硅薄膜材料的研制,该材料可作为进一步外延生长绝缘体上应变硅材料(sSOI)的衬底使用而将在高性能硅基CMOS器件的研制中获得广泛应用。200410009861.2
相似文献

磁控溅射法制备氧化铪薄膜的高温绝缘性
作者:刘西锋,董汉鹏,夏善红 发表刊物:

多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构
作者:谢欣云 发表刊物:半导体学报

片式氧传感器用氧化铝绝缘浆料的流变性
作者:王峥,99,夏金峰,蒋丹宇,冯涛 发表刊物:陶瓷学报

1.5 MeV He+离子注入SI-GaAs制备太赫兹光导天线
作者:朱智勇,杨康,陈西良,马明旺 发表刊物:核技术

离子辐照缺陷对太赫兹波发射性能的影响
作者:黄灿,朱智勇,杨康,海洋,张增艳,赵红卫,马明旺 发表刊物:核 技 术

相似专利

[发明专利] 一种基于等离子体天线的电离腔体的制备方法
发明人:孙简;陈涛;谢义方;吴逢时;孙海龙;梁志伟;鉴福升;王乃全;董伟;罗静;罗福山;张华伟 申请日:2018-10-24

[发明专利] 一种电热抗菌涂层及其制备方法
发明人:张波涛;龚永锋;陈秀勇;黄晶;周平;刘奕;所新坤;李华 申请日:2018-09-30

[发明专利] 一种基于交流法测量低维微纳材料热导率的方法
发明人:郑兴华;杨啸;陈海生;杨征;王亮 申请日:2018-09-05

[发明专利] 一种隔热防火涂层及其制备工艺
发明人:张洪杰;程丽任 申请日:2018-09-05

[发明专利] 一种电流变液及其制备方法
发明人:程昱川;牛益民;华乐天;李志祥;刘丰华;孙爱华;郭建军;许高杰;晏育刚;陆祥芳 申请日:2018-09-04

相似科技成果

原子分子操纵、组装及其材料物性的基础研究
主题词:[原子操纵;分子组装;纳米信息存储材料] 单位名称:中国科学院物理研究所

10.5kV/1.5kA高温超导限流器研究开发与并网实验运行
主题词:[高温超导限流器;研究;并网] 单位名称:中国科学院电工研究所

纳米晶钛酸锶钡材料的微波水热合成机理及工艺
主题词:[微波水热合成;微波催化效应;钛酸锶钡] 单位名称:中国科学院新疆理化技术研究所

风云二号、风云三号卫星用涂层的研制
主题词:[热控涂层;防静电;空间环境稳定性] 单位名称:中国科学院上海硅酸盐研究所

一种氟硅改性核壳结构聚氨酯-丙烯酸酯乳液的制备方法
主题词:[氟硅改性;聚氨酯;丙烯酸酯] 单位名称:中国科学技术大学

点击次数: 108      分享到:0


| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器