成果名称 ---【 一种制备三元高K栅介质材料的方法 】

基本信息
所属机构
中国科学院半导体研究所
主题词
三元高K栅 介质材料
研究起止时间
成果公报内容
本发明涉及制备高K栅介质材料的方法,特别是指一种制备组分可调的新型三元高K材料的方法。该方法,即:在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高K薄膜材料。包括步骤:a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)作为半导体衬底;b)薄膜生长所用的方法是溅射法;c)在b)步中,制备时通过调整溅射系统中的靶距,或通过改变溅射功率来调整其中的氧化物含量,以得到所需的三元高K薄膜材料;d)在c)步中,当钆距为6cm、钇距为7cm、钆的溅射功率为70W、钇的溅射功率为60W时,所制备的三元高K材料性质最优,其中各氧化物成分为(Gd_2O_3)0.98(Y_2O_3)0.02,介电常数可高达23,比Gd_2O_3的介电常数高了40%,比Y_2O_3的介电常数高了70%。本发明方法制备的产品与其它高K材料相比,因混合了两种氧化物的优点而消除或降低了它们的缺点,使材料的性能达到最优。200410009860.8
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