成果名称 ---【 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 】

基本信息
所属机构
中国科学院半导体研究所
主题词
离子束 外延生长设备 氮化铪 薄膜材料 制备方法
研究起止时间
成果公报内容
本发明提供一种利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上,选用纯度要求不高的氯化铪固体粉末和氮气分别作为产生同位素纯低能金属铪离子束和氮离子束的原材料,通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度,在超高真空生长室内,实现了氮化铪薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化,可制备得到具有原子尺度光滑平整的高结晶质量氮化铪薄膜,是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域氮化铪薄膜材料的方法。200410009816.7
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