隧道结是重要的磁电子材料之一，其基本结构是两层铁磁层被一绝缘层隔开，近年来被发现具有较大的室温隧穿磁电阻，可用于硬盘磁头、磁随机存储器及其它磁传感器的制造。一般认为隧穿磁电阻与磁隧道结的界面特性密切相关，该项目的研究方向就是系统研究磁隧道结的界面效应，尤其着重于其内在的物理本质的深入分析。项目执行期间，我们取得了以下三点重要进展：1）界定了对磁隧穿有贡献的界面所指的范围，发现较深的铁磁层同样有贡献，即自旋相关隧穿表现出一定程度的体效应，存在一个特征长度；2）通过采用电子全息方法首次直接观测到磁隧道结的势垒层及其不同氧化条件下的界面，发现在欠氧化时磁隧道结具有非常锐的界面，这揭示了实验上采用欠氧化的条件来获得大隧穿磁电阻的原因；3）发现铁磁金属-绝缘体界面处铁磁金属的费米面与测量偏压有关，提出了一个基于电子态密度的模型来解释磁隧道结中的偏压效应及自旋相关的电导极小值偏移现象。该项目的研究成果全面达到了项目申请时的目标，已发表SCI论文13篇（其中影响因子大于3.0的有6篇，即APL和PRB各3篇）；国际、国内会议论文9 篇（其中5次为邀请报告）；另外还申请2项国内发明专利。