专利名称 ---【 常压燃烧合成氮化硅粉体的方法 】

基本信息
申请号
CN200410039170.7
申请日
2004.02.18
公开(公告)号
CN1657404
公开(公告)日
2005.08.24
申请(专利权)人
中国科学院理化技术研究所
申请人地址
100101北京市朝阳区大屯路甲3号
发明人
李江涛;杨筠;林志明; 专利类型 发明专利
摘要
本发明属于非氧化物超细氮化硅陶瓷粉体的制 备技术领域,涉及常压燃烧合成氮化硅粉体的方法,特别涉及 常压连续化燃烧合成氮化硅粉末的方法。本发明是由Si粉和催 化剂按重量份比为Si∶催化剂=94~40∶3~30的比例混合, 然后加入氮化硅进行粉体活化处理,随后于常温常压条件下诱 发燃烧合成反应。本发明的特点是不需要高压反应装置,只需 将粉末松装于耐高温的多孔反应器中,反应即可在微正压的氮 气氛或流动氮气或空气中进行。粉体活化处理有利于调整反应 温度,合成产物中主要物质是 Si3N4,主晶相为占总重量85~95%的α- Si3N4粉。本发明具有生产周期短、节约能源、设备投资少。
主权项
1.一种常压燃烧合成氮化硅粉体的方法,其特征是:所述的方法包括 以下步骤: (1).原料混合和活化处理: 按纯硅粉∶Si3N4∶催化剂=94~40∶60~8∶3~30的重量份比例将纯硅 粉、Si3N4和催化剂充分混合后,将混合后的物料经高能机械活化处理或超 声活化处理; 或按纯硅粉∶Si3N4=94~40∶60~8的重量份比例将纯硅粉和Si3N4充分 混合后,将混合后的原料粉末在氨气中经高能机械活化处理或超声活化处 理; (2).燃烧氮化反应: 将步骤(1)经高能机械活化处理或超声活化处理的混合物料松装于耐 高温的容器中,松装密度为1.0~2.4g/cm3;然后将容器放入反应器中,在 微正压的氮气氛、流动氮气或空气条件下,用局部加热方式诱发粉末体系 发生燃烧合成反应,冷却燃烧合成后的物料,得到氮化硅粉体; 所述的催化剂采用氨盐添加剂。

 

IPC信息
IPC主分类号
C01B21/068
IPC分类号
C01B21/068;C04B35/584;C04B35/622

 

法律状态信息
法律状态公告日
2006.11.29
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2005.10.19
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2005.08.24
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
上海智信专利代理有限公司
代理人姓名
李柏

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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