专利名称 ---【 金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法 】

基本信息
申请号
CN200810072972.6
申请日
2008.10.15
公开(公告)号
CN101399106
公开(公告)日
2009.04.01
申请(专利权)人
中国科学院新疆理化技术研究所
申请人地址
830011新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
发明人
陈朝阳;范艳伟;董茂进;丛秀云;陶明德;王军华; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及金和镍掺杂单晶硅片式热敏电阻,该热敏电阻采用涂 源高温扩散方法,将过渡金属元素金和镍作为掺杂剂,掺入n型单晶 硅中,利用金和镍在n型单晶硅中的电补偿性质,制备出负温度系数 热敏材料,然后在精密划片机上划片,芯片两端制作电极,其电极采 用镍、银两层结构,实现了硅晶体和电极之间的欧姆接触。所用硅热 敏功能材料以单晶硅半导体为基础,掺杂金和镍金属原子,形成深能 级俘获中心,使材料产生热敏特性,经过严格控制掺杂原子在硅中的 浓度及其分布,易于实现用氧化物陶瓷热敏材料难以实现的高B值低 阻值元件,并提高热敏材料和元件的一致性、重复性、稳定性。
主权项
1、一种金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻,其特征在 于该热敏电阻是用金和镍的金属盐作为扩散源,掺入n型单晶硅中, 利用深能级杂质在硅中形成的补偿特性制成单晶硅热敏材料,再通过 表面化学镀镍电极、划片和沾银制成单晶硅片式负温度系数热敏电阻 器。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01C7/04(2006.01)I
IPC分类号
H01C7/04(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2016.11.30
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01C 7/04 申请日:20081015 授权公告日:20110323 终止日期:20151015
法律状态公告日
2011.03.23
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2009.05.27
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效
法律状态公告日
2009.04.01
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
乌鲁木齐中科新兴专利事务所
代理人姓名
张 莉

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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