专利名称 ---【 金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法 】

基本信息
申请号
CN200810072972.6
申请日
20081015
公开(公告)号
CN101399106B
公开(公告)日
20090401
申请(专利权)人
中国科学院新疆理化技术研究所
申请人地址
830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
发明人
范艳伟;王军华;丛秀云;董茂进;陶明德;陈朝阳; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及金和镍掺杂单晶硅片式热敏电阻,该热敏电阻采用涂源高温扩散方法,将过渡金属元素金和镍作为掺杂剂,掺入n型单晶硅中,利用金和镍在n型单晶硅中的电补偿性质,制备出负温度系数热敏材料,然后在精密划片机上划片,芯片两端制作电极,其电极采用镍、银两层结构,实现了硅晶体和电极之间的欧姆接触。所用硅热敏功能材料以单晶硅半导体为基础,掺杂金和镍金属原子,形成深能级俘获中心,使材料产生热敏特性,经过严格控制掺杂原子在硅中的浓度及其分布,易于实现用氧化物陶瓷热敏材料难以实现的高B值低阻值元件,并提高热敏材料和元件的一致性、重复性、稳定性。
主权项
一种金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻,其特征在于该热敏电阻是用金和镍的金属盐作为扩散源,掺入n型单晶硅中,利用深能级杂质在硅中形成的补偿特性制成单晶硅热敏材料,再通过表面化学镀镍电极、划片和沾银制成单晶硅片式负温度系数热敏电阻器。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01C7/04

 

法律状态信息
法律状态公告日
20161130
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN200810072972 20161130 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01C 7/04申请日:20081015授权公告日:20110323终止日期:20151015
法律状态公告日
20110323
法律状态
授权 法律状态信息
CN200810072972 20110323 授权 授权
法律状态公告日
20090527
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200810072972 20090527 实质审查的生效 实质审查的生效
法律状态公告日
20090401
法律状态
公开 法律状态信息
CN200810072972 20090401 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106
代理人姓名
张莉

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息


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