专利名称 ---【 一种高纯二氧化碲单晶及制备方法 】

基本信息
申请号
CN200910048849.5
申请日
2009.04.03
公开(公告)号
CN101851783A
公开(公告)日
2010.10.06
申请(专利权)人
上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址
201800 上海市嘉定区城北路215号
发明人
葛增伟;朱勇;吴国庆;殷学技;唐林耀;赵寒冰;顾李臻
专利类型
发明专利
摘要
本发明涉及一种高纯二氧化碲单晶及制备方法,属于单晶生长技术领域。本发明的制备过程为首先进行第一次单晶生长,然后将所得单晶重新溶解,之后加入沉淀剂制粉,最后将所制粉体进行第二次单晶生长后获得高纯单晶。本发明制备的二氧化碲单晶纯度高,尤其是U、Th等放射性杂质含量可降低至10-13g/g。
主权项
一种高纯二氧化碲单晶的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)将二氧化碲原料粉体装入坩埚中进行第一次单晶生长;(2)将步骤(1)所得单晶用酸性溶剂溶解为溶液;(3)将碱性沉淀剂加入到步骤(2)所得溶液中,过滤、干燥;(4)将步骤(3)的所得二氧化碲粉体装入坩埚中进行第二次单晶生长。

 

IPC信息
IPC主分类号
C30B29/16(2006.01)I
IPC分类号
C30B29/16(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2012.08.08
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2010.11.24
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/16 申请日:20090403
法律状态公告日
2010.10.06
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
代理人姓名
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