专利名称 ---【 半导体器件及其制造方法 】

基本信息
申请号
CN200910235339.9
申请日
2009.09.30
公开(公告)号
CN102034865A
公开(公告)日
2011.04.27
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
朱慧珑
专利类型
发明专利
摘要
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件形成在SOI衬底上,所述SOI衬底包括掩埋绝缘层和在掩埋绝缘层上形成的半导体层,在所述半导体层中形成了半导体材料的鳍片,所述鳍片包括垂直于SOI衬底表面的两个相对侧面,所述半导体器件包括:设置在鳍片两端的源区和漏区;设置在鳍片的中间部分的沟道区;以及设置在鳍片的一个侧面上的栅极电介质和栅极导体的叠层,所述栅极导体与所述沟道区之间由所述栅极电介质隔离,其中所述栅极导体沿着平行于所述SOI衬底表面的方向背离所述鳍片的所述一个侧面延伸。所述半导体器件减小了短沟道效应,并且减小了寄生电容和寄生电阻,从而有利于晶体管尺寸缩小和提高晶体管性能。
主权项
一种半导体器件,形成在SOI衬底上,所述SOI衬底包括掩埋绝缘层和在掩埋绝缘层上形成的半导体层,在所述半导体层中形成半导体材料的鳍片,所述鳍片包括垂直于SOI衬底表面的两个相对侧面,所述半导体器件包括:设置在鳍片两端的源区(12)和漏区(13);设置在鳍片的中间部分的沟道区(11);以及设置在鳍片的一个侧面上的栅极电介质(14)和栅极导体的叠层,所述栅极导体与所述沟道区(11)之间由所述栅极电介质(14)隔离,其中所述栅极导体沿着平行于所述SOI衬底表面的方向背离所述鳍片的所述一个侧面延伸。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L29/78(2006.01)I
IPC分类号
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2012.07.04
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2011.06.15
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20090930
法律状态公告日
2011.04.27
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
王波波
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