专利名称 ---【 半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件 】

基本信息
申请号
CN201010215145.5
申请日
2010.06.22
公开(公告)号
CN102299096A
公开(公告)日
2011.12.28
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
钟汇才;梁擎擎 专利类型 发明专利
摘要
半导体器件的接触的制造方法以及具有该接触的半导体器件,所述方法在源/漏区上形成了下部为多个接触孔、上部为沟槽接触的接触结构,所述接触孔具有较小的孔径,所述沟槽接触具有较大的接触面积,孔径较小的接触孔与接触面积较大的沟槽接触,易于和上层的金属层相连接,从而提高了接触的导电性能,进而提高了器件的整体性能。
主权项
一种半导体器件的接触的制造方法,所述方法包括:A、提供半导体衬底以及半导体器件,所述器件包括栅极区和源/漏区;B、在所述源/漏区上形成层间介质层;C、在所述层间介质层内形成多个有序的通孔,并填充所述通孔形成接触孔;D、在所述层间介质层内形成位于接触孔之上的沟槽接触。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/768(2006.01)I
IPC分类号
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2017.08.01
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2012.02.15
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20100622
法律状态公告日
2011.12.28
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京市立方律师事务所 11330
代理人姓名
马佑平
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