专利名称 ---【 后栅工艺中假栅的制造方法 】

基本信息
申请号
CN201110433706.3
申请日
2011.12.21
公开(公告)号
CN103177946A
公开(公告)日
2013.06.26
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3#
发明人
杨涛;赵超;李俊峰;赵玉印;卢一泓 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种后栅工艺中假栅的制造方法,包括以下步骤:在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层,其中硬掩模材料层包括PSG的第一掩模层以及TEOS氧化硅的第二掩模层;采用干法和DHF湿法分别刻蚀硬掩模材料层,形成上宽下窄的硬掩模图形;以硬掩模图形为掩模,干法刻蚀假栅材料层,形成上宽下窄的假栅。依照本发明的假栅制造方法,将之前垂直的假栅制作成上宽下窄的正梯形假栅;在假栅被移除后,可形成正梯形沟槽;从而大大有利于后续高K或是金属栅材料的填充,扩大填充工艺窗口,从而提高了器件的可靠性。
主权项
一种后栅工艺中假栅的制造方法,包括以下步骤:在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层,其中硬掩模材料层包括PSG的第一掩模层以及TEOS氧化硅的第二掩模层;采用干法和DHF湿法分别刻蚀硬掩模材料层,形成上宽下窄的硬掩模图形;以硬掩模图形为掩模,干法刻蚀假栅材料层,形成上宽下窄的假栅。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/28(2006.01)I
IPC分类号
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2017.03.08
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2014.02.05
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20111221
法律状态公告日
2013.06.26
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345
代理人姓名
陈红
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