专利名称 ---【 半导体器件及其制造方法 】
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| 基本信息 | |||
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申请号 |
CN201210065168.1 | 申请日 |
20120313 |
公开（公告）号
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CN103311280B | 公开（公告）日
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20130918 |
科技资源标识
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 CSTR:32117.16.20120313.CN201210065168.1
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申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所
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申请人地址
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100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
发明人
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朱慧珑;李春龙;罗军;钟汇才;梁擎擎;叶甜春 | 专利类型 | 发明专利 |
摘要
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本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一示例，半导体器件可以包括：沿第一方向延伸的鳍，鳍包括相对的第一端部和第二端部以及连接第一端部和第二端部的相对的第一侧面和第二侧面；沿与第一方向交叉的第二方向延伸且与鳍相交的栅电极；贯穿鳍和栅电极的通孔，通孔位于第一端部和第二端部之间，且位于第一侧面与第二侧面之间；源区和漏区，分别形成于鳍的第一端部和第二端部；形成于通孔中的导电接触部，该导电接触部与鳍电隔离，且与栅极电接触。
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主权项
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一种半导体器件，包括：沿第一方向延伸的鳍，鳍包括相对的第一端部和第二端部以及连接第一端部和第二端部的相对的第一侧面和第二侧面；沿与第一方向交叉的第二方向延伸且与鳍相交的栅电极；贯穿鳍和栅电极的通孔，通孔位于第一端部和第二端部之间，且位于第一侧面与第二侧面之间；源区和漏区，分别形成于鳍的第一端部和第二端部；形成于通孔中的导电接触部，该导电接触部与鳍电隔离，且与栅极电接触，其中，该半导体器件形成于绝缘体上半导体(SOI)衬底上，所述SOI衬底包括第一半导体层、形成于第一半导体层上的绝缘体层和形成于绝缘体层上的第二半导体层，其中所述鳍由第二半导体层形成，且其中所述通孔贯穿第二半导体层从而终止于绝缘体层。
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IPC信息 |
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IPC主分类号
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H01L29/423 | ||
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法律状态信息 |
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法律状态公告日
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20130918 | 法律状态
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公开 | 法律状态信息 | CN201210065168 20130918 公开 公开 |
法律状态公告日
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20131023 | 法律状态
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实质审查的生效 | 法律状态信息 | CN201210065168 20131023 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/423申请日:20120313 |
法律状态公告日
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20151202 | 法律状态
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授权 | 法律状态信息 | CN201210065168 20151202 授权 授权 |
代理信息 |
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人姓名
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倪斌 |
