专利名称 ---【 半导体器件及其制造方法 】

基本信息
申请号
CN201210065168.1
申请日
2012.03.13
公开(公告)号
CN103311280A
公开(公告)日
2013.09.18
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100083 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
朱慧珑;李春龙;罗军;钟汇才;梁擎擎;叶甜春
专利类型
发明专利
摘要
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一示例,半导体器件可以包括:沿第一方向延伸的鳍,鳍包括相对的第一端部和第二端部以及连接第一端部和第二端部的相对的第一侧面和第二侧面;沿与第一方向交叉的第二方向延伸且与鳍相交的栅电极;贯穿鳍和栅电极的通孔,通孔位于第一端部和第二端部之间,且位于第一侧面与第二侧面之间;源区和漏区,分别形成于鳍的第一端部和第二端部;形成于通孔中的导电接触部,该导电接触部与鳍电隔离,且与栅极电接触。
主权项
一种半导体器件,包括:沿第一方向延伸的鳍,鳍包括相对的第一端部和第二端部以及连接第一端部和第二端部的相对的第一侧面和第二侧面;沿与第一方向交叉的第二方向延伸且与鳍相交的栅电极;贯穿鳍和栅电极的通孔,通孔位于第一端部和第二端部之间,且位于第一侧面与第二侧面之间;源区和漏区,分别形成于鳍的第一端部和第二端部;形成于通孔中的导电接触部,该导电接触部与鳍电隔离,且与栅极电接触。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L29/423(2006.01)I
IPC分类号
H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2015.12.02
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2013.10.23
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20120313
法律状态公告日
2013.09.18
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
倪斌
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