专利名称 ---【 一种二维压电声子晶体射频声波导 】

基本信息
申请号
CN201210247336.9
申请日
2012.07.17
公开(公告)号
CN103546117A
公开(公告)日
2014.01.29
申请(专利权)人
中国科学院声学研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区北四环西路21号
发明人
李红浪;柯亚兵;程利娜;何世堂 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一种二维压电声子晶体射频声波导,该二维压电声子晶体射频声波导包括设置在压电基片上的二维金属点阵,所述二维金属点阵的y方向晶格常数与x方向晶格常数成比例,使得x方向上的通带对应于y方向上的阻带。所述二维金属点阵的y方向晶格常数与x方向晶格常数成比例具体为所述y方向晶格常数是x方向晶格常数的1.5~4.5倍。本发明能够使射频段的声表面波在压电声子晶体中x方向上实现高效传播,在y方向上实现能量有效反射,从而实现射频段声波导功能。
主权项
一种二维压电声子晶体射频声波导,其特征在于,包括设置在压电基片上的二维金属点阵,所述二维金属点阵的y方向晶格常数与x方向晶格常数成比例,使得x方向上的通带对应于y方向上的阻带。

 

IPC信息
IPC主分类号
H03H9/25(2006.01)I
IPC分类号
H03H9/25(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2017.05.10
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2014.03.12
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H03H 9/25 申请日:20120717
法律状态公告日
2014.01.29
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京亿腾知识产权代理事务所 11309
代理人姓名
陈霁
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