专利名称 ---【 用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法 】

基本信息
申请号
CN201210370720.8
申请日
2012.09.28
公开(公告)号
CN103715232A
公开(公告)日
2014.04.09
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
发明人
褚为利;朱阳军;田晓丽;吴振兴 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了用于半导体功率器件的沟槽式终端,该终端包含至少一个沟槽,所述沟槽位于终端器件衬底内,终端表面由里及外覆盖有绝缘层和多晶硅,在所述终端区域的沟槽的端口和底部的周围具有P型区域,该P型区域与衬底的掺杂类型相反。本发明提供的用于半导体功率器件的沟槽式终端,通过在沟槽周围电场强烈集中的位置形成起保护作用的P型区域,该P型区域与衬底的掺杂类型相反,增强了该终端的可靠性。该沟槽式终端结构应用在元包结构为沟槽的功率器件中,能够减少器件制作的工艺步骤,从而降低制作成本。
主权项
用于半导体功率器件的沟槽式终端,其特征在于,终端包含至少一个沟槽,所述沟槽位于终端器件衬底内,终端表面由里及外覆盖有绝缘层和多晶硅,在所述终端的沟槽的端口和底部的周围具有P型区,该P型区与衬底的掺杂类型相反。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L29/06(2006.01)I
IPC分类号
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2017.10.10
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2014.05.07
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20120928
法律状态公告日
2014.04.09
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京华沛德权律师事务所 11302
代理人姓名
刘丽君
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