基本信息 | |||
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申请号 |
CN201210392511.3 | 申请日 |
2012.10.16 |
公开(公告)号
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CN103730366A | 公开(公告)日
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2014.04.16 |
申请(专利权)人
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中国科学院微电子研究所
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||
发明人
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殷华湘;秦长亮;付作振;马小龙;陈大鹏; | 专利类型 | 发明专利 |
摘要
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主权项
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一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法,包括:在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片;在每个鳍片中形成由多个纳米线构成的纳米线堆叠;在纳米线堆叠上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠结构,栅极堆叠结构环绕包围纳米线堆叠;在栅极堆叠结构两侧形成源漏区,源漏区之间的纳米线构成沟道区。 |
IPC信息 |
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IPC主分类号
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H01L21/336(2006.01)I | ||
IPC分类号
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H01L21/336(2006.01)I | ||
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法律状态信息 |
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法律状态公告日
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2018.07.31 | 法律状态
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授权 | 法律状态信息 | 授权 |
法律状态公告日
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2015.07.01 | 法律状态
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实质审查的生效 | 法律状态信息 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20121016 |
法律状态公告日
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2014.04.16 | 法律状态
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公开 | 法律状态信息 | 公开 |
代理信息 |
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代理机构名称
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北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人姓名
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陈红 |