专利名称 ---【 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 】

基本信息
申请号
CN201210392511.3
申请日
2012.10.16
公开(公告)号
CN103730366A
公开(公告)日
2014.04.16
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3#
发明人
殷华湘;秦长亮;付作振;马小龙;陈大鹏; 专利类型 发明专利
摘要
主权项
一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法,包括:在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片;在每个鳍片中形成由多个纳米线构成的纳米线堆叠;在纳米线堆叠上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠结构,栅极堆叠结构环绕包围纳米线堆叠;在栅极堆叠结构两侧形成源漏区,源漏区之间的纳米线构成沟道区。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/336(2006.01)I
IPC分类号
H01L21/336(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2018.07.31
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2015.07.01
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20121016
法律状态公告日
2014.04.16
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345
代理人姓名
陈红
相似文献

多巴胺功能化的磁性纳米材料富集射干中的异黄酮类化合物
作者:廖循 发表刊物:中国化学会第十届全国天然有机化学学术会议论文集

相似专利

[发明专利] 纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法
发明人:徐秋霞;周娜;李俊峰;洪培真;许高博;孟令款;贺晓彬;陈大鹏;叶甜春 申请日:2018-02-11

[发明专利] 一种CMOS纳米线及其制造方法
发明人:马雪丽;王晓磊;王文武 申请日:2017-12-22

[发明专利] 一种堆叠纳米线及其制造方法
发明人:马雪丽;王晓磊;王文武 申请日:2017-12-22

[发明专利] 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法
发明人:张青竹;殷华湘;张兆浩;李俊杰;徐忍忍 申请日:2017-12-14

[发明专利] 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法
发明人:张青竹;殷华湘;张兆浩;李俊杰;徐忍忍 申请日:2017-12-14

点击次数: 91      分享到:0


| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器