专利名称 ---【 半导体器件制造方法 】

基本信息
申请号
CN201210490480.5
申请日
2012.11.25
公开(公告)号
CN103839820A
公开(公告)日
2014.06.04
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3#
发明人
殷华湘;朱慧珑; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片;在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极绝缘层和假栅极层,其中假栅极层在鳍片上方具有突起;在假栅极层上形成盖层;选择性刻蚀,去除假栅极层的突起;去除盖层。依照本发明的半导体器件制造方法,沉积假栅极层之后增添了盖层,通过选择性刻蚀来平坦化假栅极层,有效提高了假栅极的平坦性以及栅极线条的均匀性和重复性,最终有效提高了器件的性能和可靠性。
主权项
一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片;在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极绝缘层和假栅极层,其中假栅极层在鳍片上方具有突起;在假栅极层上形成盖层;选择性刻蚀,去除假栅极层的突起;去除盖层。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/336(2006.01)I
IPC分类号
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2018.07.31
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2015.09.30
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20121125
法律状态公告日
2014.06.04
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345
代理人姓名
陈红
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