专利名称 ---【 一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法 】

基本信息
申请号
CN201210559913.8
申请日
2012.12.20
公开(公告)号
CN103117093A
公开(公告)日
2013.05.22
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
刘鑫;赵发展;韩郑生; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法,包含:所述交织SRAM的交织距离为m个存储单元,所述存储单元即bit;以连续n个存储单元为一擦洗单位,将所述交织SRAM顺序划分成若干个擦洗单位,并将位于奇数位的擦洗单位设为第一擦洗部分,余下的设为擦洗第二部分;依次循环对所述第一部擦洗分和第二擦洗部分进行擦洗;利用位于所述交织SRAM外围的SEC电路对每个字节内的单个错位进行纠正;使每个字节相邻的两个存储单元在前后两轮擦洗中。本发明提供的擦洗方法,解决了现有的擦洗方法存在的擦洗效率低、没有有效利用SEC电路的问题。
主权项
一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法,包含:所述交织SRAM的交织距离为m个存储单元,所述存储单元即bit;以连续n个存储单元为一擦洗单位,将所述交织SRAM顺序划分成若干个擦洗单位,并将位于奇数位的擦洗单位设为第一擦洗部分,余下的设为擦洗第二部分;依次循环对所述第一部擦洗分和第二擦洗部分进行擦洗;利用位于所述交织SRAM外围的SEC电路对每个字节内的单个错位进行纠正;其特征在于,所述擦洗方法还包含:使每个字节相邻的两个存储单元在前后两轮擦洗中。

 

IPC信息
IPC主分类号
G11C29/08(2006.01)I
IPC分类号
G11C29/08(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2018.10.30
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2015.12.02
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/08 申请日:20121220
法律状态公告日
2013.05.22
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京市德权律师事务所 11302
代理人姓名
刘丽君
点击次数: 71      分享到:0


| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器