专利名称 ---【 半导体器件及其制造方法 】

基本信息
申请号
CN201310050123.1
申请日
2013.02.08
公开(公告)号
CN103985754A
公开(公告)日
2014.08.13
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100083 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
朱慧珑; 专利类型 发明专利
摘要
公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:半导体衬底;半导体衬底中的阱区;位于阱区上的夹层结构,该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质,其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分;位于半导体鳍片下部的穿通阻止层;与半导体鳍片相交的前栅堆叠,该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体,并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开;以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。
主权项
一种半导体器件,包括:半导体衬底;半导体衬底中的阱区;位于阱区上的夹层结构,该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质,其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分;与半导体鳍片相交的前栅堆叠,该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体,并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开;位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖,并且绝缘帽盖将背栅导体与前栅导体隔开;以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L29/78(2006.01)I
IPC分类号
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2018.09.04
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2014.09.10
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20130208
法律状态公告日
2014.08.13
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
蔡纯
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