专利名称 ---【 低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列 】

基本信息
申请号
CN201310106019.X
申请日
2013.03.29
公开(公告)号
CN103219650A
公开(公告)日
2013.07.24
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
郑婉华;刘磊;渠红伟;张斯日古楞;王海玲; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列,包括:N型衬底;形成于该N型衬底之上的N型缓冲层;形成于该N型缓冲层之上的N型啁啾光子晶体波导;形成于该N型啁啾光子晶体波导之上的有源层;形成于该有源层之上的P型限制层;以及形成于该P型限制层之上的P型盖层;其中,对该P型盖层和该P型限制层进行刻蚀在该激光器阵列表面形成一个宽度呈啁啾变化的脊形波导阵列,该脊形波导阵列位于该激光器阵列表面中间部分的是电流注入区,位于该电流注入区两侧的是第一无源损耗区和第二无源损耗区。利用本发明,可在提高边激光器输出功率的同时,降低发散角并滤除高阶模式,实现高功率低发散角近衍射极限激光输出。
主权项
一种低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列,其特征在于,包括:N型衬底(101);形成于该N型衬底之上的N型缓冲层(102);形成于该N型缓冲层之上的N型啁啾光子晶体波导(103);形成于该N型啁啾光子晶体波导之上的有源层(104);形成于该有源层之上的P型限制层(105);以及形成于该P型限制层之上的P型盖层(106);其中,对该P型盖层(106)和该P型限制层(105)进行刻蚀或腐蚀在该激光器阵列表面形成一个宽度呈啁啾变化的脊形波导阵列,该脊形波导阵列位于该激光器阵列表面中间部分的是电流注入区(201),位于该电流注入区(201)两侧的是第一无源损耗区(202)和第二无源损耗区(203)。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01S5/22(2006.01)I
IPC分类号
H01S5/22(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2014.11.26
法律状态
授权 法律状态信息
授权
法律状态公告日
2013.08.21
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/22 申请日:20130329
法律状态公告日
2013.07.24
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
任岩

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间
SEA 20140829 CN101635433A INST SEMICONDUCTORS CAS 20100127
SEA 20140829 CN102255240A INST SEMICONDUCTORS CAS 20111123
SEA 20140829 JP2009054795A NAT UNIV YOKOHAMA 20090312
SEA 20140829 KR20080041442A INHA IND PARTNERSHIP INST [KR] 20080513

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
SEA 20140829 s 毕岗等:变迹和啁啾光子晶体的特性研究,《光学学报》, vol. 25, no. 7, 31 July 2005 (2005-07-31), pages 990 - 993
SEA 20140829 s LEI LIU等:500-mW CW Single-Lobe Emission from Laterally Coupled Photonic Crystal Laser Arrays,《IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS》, vol. 24, no. 19, 1 October 2012 (2012-10-01), pages 1667 - 1669, XP011460848, DOI: doi:10.1109/LPT.2012.2209635
SEA 20140829 s N. YU. GORDEEV等:High-power one-, two-, and three-dimensional photonic crystal edge emitting laser diodes for ultrahigh brightness applications,《PROCEEDING OF SPIE》, vol. 6889, 31 December 2008 (2008-12-31)
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