专利名称 ---【 低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列 】

基本信息
申请号
CN201310106019.X
申请日
20130329
公开(公告)号
CN103219650B
公开(公告)日
20130724
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
郑婉华;刘磊;渠红伟;张斯日古楞;王海玲; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列,包括:N型衬底;形成于该N型衬底之上的N型缓冲层;形成于该N型缓冲层之上的N型啁啾光子晶体波导;形成于该N型啁啾光子晶体波导之上的有源层;形成于该有源层之上的P型限制层;以及形成于该P型限制层之上的P型盖层;其中,对该P型盖层和该P型限制层进行刻蚀在该激光器阵列表面形成一个宽度呈啁啾变化的脊形波导阵列,该脊形波导阵列位于该激光器阵列表面中间部分的是电流注入区,位于该电流注入区两侧的是第一无源损耗区和第二无源损耗区。利用本发明,可在提高边激光器输出功率的同时,降低发散角并滤除高阶模式,实现高功率低发散角近衍射极限激光输出。
主权项
一种低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列,其特征在于,包括:N型衬底(101);形成于该N型衬底之上的N型缓冲层(102);形成于该N型缓冲层之上的N型啁啾光子晶体波导(103);形成于该N型啁啾光子晶体波导之上的有源层(104);形成于该有源层之上的P型限制层(105);以及形成于该P型限制层之上的P型盖层(106);其中,对该P型盖层(106)和该P型限制层(105)进行刻蚀或腐蚀在该激光器阵列表面形成一个宽度呈啁啾变化的脊形波导阵列,该脊形波导阵列位于该激光器阵列表面中间部分的是电流注入区(201),位于该电流注入区(201)两侧的是第一无源损耗区(202)和第二无源损耗区(203);所述N型啁啾光子晶体波导(103)由至少两对高折射率材料和低折射率材料交替叠置而成,且该至少两对高折射率材料和低折射率材料的折射率分布或厚度分布各不相同;所述N型啁啾光子晶体波导(103)中相邻高或低折射率材料的厚度或组分的差异,从靠近有源层(104)向靠近N型衬底(101)的方向逐渐增大。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01S5/22

 

法律状态信息
法律状态公告日
20141126
法律状态
授权 法律状态信息
CN201310106019 20141126 授权 授权
法律状态公告日
20130724
法律状态
公开 法律状态信息
CN201310106019 20130724 公开 公开
法律状态公告日
20130821
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201310106019 20130821 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/22申请日:20130329

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
任岩

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息


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