专利名称 ---【 一种大面积厚GEM的制作工艺 】 全文链接

基本信息
申请号
CN201410704645.3
申请日
20141129
公开(公告)号
CN104465266A
公开(公告)日
20150325
科技资源标识
CSTR:32117.16.20141129.CN201410704645.3
申请(专利权)人
惠州市金百泽电路科技有限公司;中国科学院高能物理研究所
申请人地址
516081 广东省惠州市大亚湾区响水河龙山六路
发明人
谢宇广;吴军权;吕军光;陈春;武守坤;林映生;唐宏华 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种大面积厚GEM的制作工艺,包括阻焊层覆盖、激光开窗、绝缘环加工、通孔成型和阻焊层消褪处理等步骤,采用激光钻孔方式,激光钻孔开窗和激光钻孔通孔成型的双重定位技术进行厚GEM的加工。本发明大面积厚GEM的制作工艺具有成本低、加工精度高和生产效率高等特点。
主权项
一种大面积厚GEM的制作工艺,其特征在于包括以下步骤:第一步、阻焊层覆盖,对基板进行双面绿油印制,在基板的双面覆盖阻焊层;第二步、激光开窗,根据大面积厚GEM的分布要求,在第一步所得的覆盖有阻焊层的基板上采用激光对孔环位进行阻焊开窗,形成通孔的激光窗位第三步、绝缘环加工,把第二步所得激光开窗处理后的基板先采用等离子清洗工艺去除激光开窗后残余铜面的保护膜,然后侧蚀方式精确蚀刻绝缘环,完成激光窗位的二次蚀刻规整限位。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01J9/00

 

法律状态信息
法律状态公告日
20150325
法律状态
公开 法律状态信息
CN201410704645 20150325 公开 公开
法律状态公告日
20150422
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201410704645 20150422 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01J 9/00申请日:20141129
法律状态公告日
20170111
法律状态
授权 法律状态信息
CN201410704645 20170111 授权 授权

 

代理信息
代理机构名称
深圳市千纳专利代理有限公司 44218
代理人姓名
童海霓;刘彦


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