专利名称 ---【 米级大口径偏振片全频段面形加工方法 】

基本信息
申请号
CN201510407906.X
申请日
20150713
公开(公告)号
CN105182459B
公开(公告)日
20151223
申请(专利权)人
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址
201800 上海市嘉定区上海市800-211邮政信箱
发明人
魏朝阳;邵建达;徐学科;易葵;顾昊金;程鑫; 专利类型 发明专利
摘要
一种米级大口径偏振片全频段面形加工方法,本发明方法通过磁流变抛光与保形光顺抛光结合,可以有效的控制米级大口径偏振片的加工精度,制造出在高功率激光系统中全频段指标达标的米级大口径偏振片元件,透反两面具体指标如下:PV≤λ/3,GRMS≤7nm/cm,PSD1RMS≤1.8nm,PSD2RMS≤1.1nm,表面粗糙度≤1nm。
主权项
一种米级大口径偏振片全频段面形加工方法,其特征在于该方法包括下列步骤:1)、反射面磁流变抛光:利用NUBULA-UPF-60磁流变抛光机床抛光大口径偏振片的反射面,利用300mm口径干涉仪检测抛光后的反射面,当反射面面形精度达到0.3λ-0.2λ,GRMS达到λ/90/cm-λ/120/cm时,进入下一步反射面加工;2)、反射面保形光顺:利用陪抛片对2.4m环抛机进行校正,通过温度计控制环境温度在20±2℃范围,利用2.4m环抛机对陪抛片进行抛光,通过300mm口径干涉仪检测陪抛片的面形,当面形大于0.25λ时,继续抛光;当面形小于0.25λ时,即校正完毕,立即取下陪抛片,将大口径偏振片放至与取下的陪抛片相同的位置,对反射面进行抛光,当反射面中高频误差PSD1RMS≤1.8nm,PSD2RMS≤1.1nm,表面粗糙度≤1nm时,则反射面加工完毕;3)、透射面磁流变抛光:利用NUBULA-UPF-60磁流变抛光机床抛光大口径偏振片的透射面,利用300mm口径干涉仪检测抛光后的透射面,当透射面面形精度达到0.3λ-0.2λ,GRMS达到λ/90/cm-λ/120/cm时,进入下一步透射面加工;4)、透射面保形光顺:利用陪抛片对2.4m环抛机进行校正,通过温度计控制环境温度在20±2℃范围,利用2.4m环抛机对陪抛片进行抛光,通过300mm口径干涉仪检测陪抛片的面形,当面形大于0.25λ时,继续抛光;当面形小于0.25λ时,即校正完毕,立即取下陪抛片,将大口径偏振片放至与取下的陪抛片相同的位置,对透射面进行抛光,当透射面中高频误差PSD1RMS≤1.8nm,PSD2RMS≤1.1nm,表面粗糙度≤1nm时,则透射面加工完毕;5)结束。

 

IPC信息
IPC主分类号
G02B5/30

 

法律状态信息
法律状态公告日
20151223
法律状态
公开 法律状态信息
CN201510407906 20151223 公开 公开
法律状态公告日
20160120
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201510407906 20160120 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02B 5/30申请日:20150713
法律状态公告日
20170912
法律状态
授权 法律状态信息
CN201510407906 20170912 授权 授权

 

代理信息
代理机构名称
上海新天专利代理有限公司 31213
代理人姓名
张泽纯;张宁展


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