专利名称 ---【 三维半导体器件及其制造方法 】 全文链接

基本信息
申请号
CN201510685648.1
申请日
20151020
公开(公告)号
CN105374826A
公开(公告)日
20160302
科技资源标识
CSTR:32117.16.20151020.CN201510685648.1
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3#
发明人
霍宗亮;叶甜春 专利类型 发明专利
摘要
一种三维半导体器件,包括多个存储单元,多个存储单元的每一个包括:沟道层堆叠,沿垂直于衬底表面的方向分布;多个绝缘层与多个栅极导电层,沿着沟道层堆叠的侧壁交替层叠;栅极介质层,位于多个栅极导电层与沟道层堆叠的侧壁之间;漏极,位于沟道层堆叠的顶部;源极,位于多个存储单元的相邻两个存储单元之间的衬底中;其中,最下层的绝缘层具有钝化或圆化的角部。依照本发明的三维半导体存储器件及其制造方法,对底部晶体管的尖角进行钝化或圆化,抑制局域电场增强效应而使得底部晶体管栅介质电场均匀分布,从而提高可靠性。
主权项
一种三维半导体器件,包括多个存储单元,多个存储单元的每一个包括:沟道层堆叠,沿垂直于衬底表面的方向分布;多个绝缘层与多个栅极导电层,沿着沟道层堆叠的侧壁交替层叠;栅极介质层,位于多个栅极导电层与沟道层堆叠的侧壁之间;漏极,位于沟道层堆叠的顶部;源极,位于多个存储单元的相邻两个存储单元之间的衬底中;其中,最下层的绝缘层具有钝化或圆化的角部。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L27/115

 

法律状态信息
法律状态公告日
20160302
法律状态
公开 法律状态信息
CN201510685648 20160302 公开 公开
法律状态公告日
20160330
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201510685648 20160330 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/115申请日:20151020
法律状态公告日
20190115
法律状态
授权 法律状态信息
CN201510685648 20190115 授权 授权

 

代理信息
代理机构名称
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345
代理人姓名
陈红


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