专利名称 ---【 一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列及其制备方法 】

基本信息
申请号
CN201610858458.X
申请日
2016.09.28
公开(公告)号
CN106419906A
公开(公告)日
2017.02.22
申请(专利权)人
中国科学院深圳先进技术研究院
申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
发明人
夏凯;吴天准;孙滨;曾齐;彭琎 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列,所述微电极阵列的电极表面设置有氧化铱/铂纳米柱复合涂层,所述氧化铱/铂纳米柱复合涂层包括依次设置于所述电极表面的铂纳米柱层和氧化铱层。该微电极阵列以氧化铱/铂纳米柱复合涂层为表面修饰层,该表面修饰层与微电极基底的结合力较好,不容易脱落导致电极失效,并且修饰后的微电极表面积极大地增加,其电化学阻抗明显降低,电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加,从而有利于降低植入的系统功耗,改善电刺激效果,同时该表面修饰层具有良好的生物相容性,使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列的制备方法。
主权项
一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列,其特征在于,所述微电极阵列的电极表面设置有氧化铱/铂纳米柱复合涂层,所述氧化铱/铂纳米柱复合涂层包括设置于所述电极表面的铂纳米柱层,以及设置于所述铂纳米柱层表面的氧化铱层。

 

IPC信息
IPC主分类号
A61B5/042(2006.01)I
IPC分类号
A61B5/042(2006.01)I;A61B5/0478(2006.01)I;A61B5/04(2006.01)I;A61N1/05(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C25D3/50(2006.01)I;C25D5/10(2006.01)I;C25D9/04(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2017.08.04
法律状态
专利申请权、专利权的转移 法律状态信息
专利申请权的转移 IPC(主分类):A61B 5/042 登记生效日:20170717 变更事项:申请人 变更前权利人:中国科学院深圳先进技术研究院 变更后权利人:深圳先进技术研究院 变更事项:地址 变更前权利人:518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 变更后权利人:518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
法律状态公告日
2017.03.22
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):A61B 5/042 申请日:20160928
法律状态公告日
2017.02.22
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
广州三环专利代理有限公司 44202
代理人姓名
郝传鑫;熊永强
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