专利名称 ---【 铜铟镓硒吸收层后处理方法及基于其的太阳电池制备方法 】

基本信息
申请号
CN201710740745.5
申请日
2017.08.25
公开(公告)号
CN107623046A
公开(公告)日
2018.01.23
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050 上海市长宁区长宁路865号
发明人
王宪;韩安军;韦小庆;黄勇亮;刘正新
专利类型
发明专利
摘要
本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法,后处理方法包括:配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液,其中,所述预设摩尔浓度大于8mol/L;提供铜铟镓硒吸收层,并采用所述刻蚀溶液对所述铜铟镓硒吸收层进行刻蚀,以对所述铜铟镓硒吸收层进行表面改性;清洗刻蚀后的铜铟镓硒吸收层,以得到处理后的铜铟镓硒吸收层。通过上述方案,本发明的方法可以修饰铜铟镓硒吸收层的表界面,优化铜铟镓硒吸收层的表面特性,促进浅埋PN结的纵深扩展;减少载流子在缓冲层/吸收层界面处的复合,可提高铜铟镓硒薄膜太阳电池开路电压、提高填充因子以及提高电池转换效率绝对值。
主权项
一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法,其特征在于,包括如下步骤:1)配置具有预设摩尔浓度的碱性物质溶液,以作为刻蚀溶液,其中,所述预设摩尔浓度大于8mol/L;2)提供铜铟镓硒吸收层,并采用所述刻蚀溶液对所述铜铟镓硒吸收层进行刻蚀,以对所述铜铟镓硒吸收层进行表面改性;3)清洗刻蚀后的铜铟镓硒吸收层,以得到处理后的所述铜铟镓硒吸收层。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L31/0392(2006.01)I
IPC分类号
H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/0445(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2018.02.16
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0392 申请日:20170825
法律状态公告日
2018.01.23
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人姓名
余明伟
点击次数: 316      分享到:0


| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器