专利名称 ---【 基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法 】

基本信息
申请号
CN201711498022.5
申请日
2017.12.29
公开(公告)号
CN108217579A
公开(公告)日
2018.06.29
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
张明亮;季安;王晓东;杨富华; 专利类型 发明专利
摘要
本公开提供了一种基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法,在玻璃片上制作振动空腔、预通孔以及连通振动空腔与预通孔的通气槽;在振动空腔内制作玻璃通孔,形成金属填充电极;将玻璃片的预通孔制作成锥形通孔;通过阳极键合,将玻璃片与待封装硅结构对准键合;将硅玻璃键合片放入电子束蒸发设备中,依次淀积金属钛和表层金属;图形化金属钛和表层金属,划片成独立器件,直接形成无金丝引线的贴片元器件。
主权项
1.基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法,包括:步骤S101:在玻璃片上制作振动空腔、预通孔以及连通振动空腔与预通孔的通气槽;步骤S201:在振动空腔内制作玻璃通孔,形成金属填充电极;步骤S301:将玻璃片的预通孔制作成锥形通孔;通过阳极键合,将玻璃片与待封装硅结构对准键合;步骤S401:将硅玻璃键合片放入电子束蒸发设备中,依次淀积金属钛和表层金属;步骤S501:图形化金属钛和表层金属,划片成独立器件,直接形成无金丝引线的贴片元器件。

 

IPC信息
IPC主分类号
B81C1/00(2006.01)I
IPC分类号
B81C1/00(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2018.07.24
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20171229
法律状态公告日
2018.06.29
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
任岩

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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