专利名称 ---【 一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法 】

基本信息
申请号
CN201810254393.7
申请日
20180326
公开(公告)号
CN108648987A
公开(公告)日
20181012
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
蒋志;牛智川;王国伟;徐应强;孙姚耀;韩玺;蒋洞微; 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种分子束外延生长长波红外InAs/InAsSb超晶格界面的优化方法,其中,包括以下步骤:A、获取外延生长的基准温度以及测定生长程序所需要的各源炉束流及温度值;B、根据基准温度将GaSb衬底的温度进行调节,准备运行长波红外InAs/InAsSb超晶格材料的生长程序;C、编辑并优化该长波红外InAs/InAsSb超晶格材料的生长程序并运行。本发明改善了InAs/InAsSb超晶格材料的生长质量,为制备高性能的InAs/InAsSb长波红外探测器奠定基础。
主权项
1.一种分子束外延生长长波红外InAs/InAsSb超晶格界面的优化方法,其中,包括以下步骤:A、获取外延生长的基准温度以及测定生长程序所需要的各源炉束流及温度值;B、根据基准温度将GaSb衬底的温度进行调节,准备运行长波红外InAs/InAsSb超晶格材料的生长程序;C、编辑并优化该长波红外InAs/InAsSb超晶格材料的生长程序并运行。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/02

 

法律状态信息
法律状态公告日
20181012
法律状态
公开 法律状态信息
CN201810254393 20181012 公开 公开
法律状态公告日
20181106
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201810254393 20181106 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
任岩


| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器