专利名称 ---【 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 】

基本信息
申请号
CN201810373946.0
申请日
2018.04.24
公开(公告)号
CN108718030A
公开(公告)日
2018.10.30
申请(专利权)人
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址
330000 江西省南昌市小蓝经济技术开发区汇仁大道266号
发明人
孙钱;冯美鑫;周宇;高宏伟;杨辉; 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法,将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器,(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式,大幅降低微腔激光器的串联电阻;微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中,在氮面制备微腔激光器,采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁,可以大幅提升微腔激光器的稳定性,采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层,提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点,可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
主权项
1.一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法,其特征在于:包含n型接触层、n型光学限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、p型光学限制层和p型接触层。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01S5/042(2006.01)I
IPC分类号
H01S5/042(2006.01)I;H01S5/32(2006.01)I

 

法律状态信息
法律状态公告日
2018.10.30
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
南昌新天下专利商标代理有限公司 36115
代理人姓名
刘华
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