专利名称 ---【 可实现接近常压气氛条件下工作的光发射电子显微成像方法及其成像系统 】

基本信息
申请号
CN201810432739.8
申请日
20180508
公开(公告)号
CN110459455B
公开(公告)日
20191115
申请(专利权)人
中国科学院大连化学物理研究所
申请人地址
116000 辽宁省大连市沙河口区中山路457号
发明人
傅强;宁艳晓;包信和; 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一种可实现接近常压气氛条件下工作的光发射电子显微成像方法能够在保持高气氛压力的同时有效加载高电场,并将此应用于光发射电子显微镜(PEEM)系统中,实现接近常压气氛条件下的PEEM成像。通过分级电子加速的电子光路系统和气体压力的差抽系统,实现近常压气氛下PEEM成像,达到100nm的空间分辨。在样品和物镜之间添加的中空锥形管,既是一级电压的施加位置,也实现了气体压力的一级差抽。设计的气氛腔室,包含了光源引入,气体的引入/抽空,腔室的密封等功能,使得锥形管顶端和样品之间为近常压环境。通过气氛腔室与传统PEEM成像部件的耦合,实现在接近真实工作条件下对表面纳米结构进行原位、动态的表面成像研究。
主权项
1.一种可实现接近常压气氛条件下工作的光发射电子显微成像方法,包括以下方面:(1)在光发射电子显微镜(PEEM)系统的待测样品与物镜之间增设一个中空的底端口径大于顶端口径的锥形管;所述锥形管的底端临近物镜,所述锥形管的顶端临近样品;所述锥形管的中心轴线与物镜的中心轴线重合;(2)光发射电子显微镜(PEEM)系统的成像部件置于真空环境中;待测样品与锥形管的顶端都置于具有光学窗口的、气压可调的密封气氛腔室中;(3)工作时,将样品置于所述样品台,光发射电子显微镜(PEEM)成像所需的样品与物镜之间的高压分两级施加:在样品与锥形管之间施加电压V1、在锥形管与物镜之间施加电压V2,所述V1至V2具有连续递增的电势差值。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01J37/26

 

法律状态信息
法律状态公告日
20200505
法律状态
授权 法律状态信息
CN201810432739 20191115 公开 公开
法律状态公告日
20191210
法律状态
公开 法律状态信息
CN201810432739 20200505 授权 授权
法律状态公告日
20191115
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201810432739 20191210 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/26

 

代理信息
代理机构名称
大连东方专利代理有限责任公司 21212
代理人姓名
毛薇;李馨

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息


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