| 基本信息 | |||
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申请号 |
CN201810438500.1 | 申请日 |
20180509 |
公开（公告）号
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CN108614313B | 公开（公告）日
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20181002 |
申请（专利权）人
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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申请人地址
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130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号 | ||
发明人
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王孝东;陈波; | 专利类型 | 发明专利 |
摘要
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本发明公开了一种可调的降低光学表面反射率的方法，包括以下步骤：根据所需的光学表面反射率、二维材料薄膜的厚度、自由空间的光学导纳、二维材料薄膜的光学导纳以及目标光学基底的光学导纳来计算所述二维材料薄膜的堆积层数；根据计算的所述二维材料薄膜的堆积层数，将所述二维材料薄膜沉积到所述目标光学基底上。本发明通过在目标光学基底表面上沉积不同层数的二维材料薄膜，可对目标光学基底表面的反射率进行调制，具有宽波段和宽角度、简单易操作的有益效果。
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主权项
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1.一种可调的降低光学表面反射率的方法，其特征在于，包括以下步骤：根据所需的光学表面反射率、二维材料薄膜的厚度、自由空间的光学导纳、二维材料薄膜的光学导纳以及目标光学基底的光学导纳来计算所述二维材料薄膜的堆积层数；根据计算的所述二维材料薄膜的堆积层数，将所述二维材料薄膜沉积到所述目标光学基底上；根据所需的光学表面反射率、所述二维材料薄膜的厚度、自由空间的光学导纳、二维材料薄膜的光学导纳以及目标光学基底的光学导纳来计算所述二维材料薄膜的堆积层数，包括以下步骤：计算二维材料薄膜的相位厚度：δ＝2πNd/λ (1)其中，δ是二维材料薄膜的相位厚度，N是二维材料薄膜的复合折射率，d为二维材料薄膜的总厚度，λ是波长；计算二维材料薄膜的光学导纳y：y＝H/E (2)；其中，H表示磁场强度，E表示出射界面电场强度，N＝n-ik，n表示二维材料折射率，k表示二维材料消光系数，ns表示基底折射率，ks表示基底消光系数，i表示复数虚部，y0表示空气的光学导纳；根据所述二维材料薄膜的相位厚度δ、二维材料薄膜的光学导纳y，并结合公式(3)计算归一化的电场强度B和磁场强度C：其中，Ea、Ha分别为入射电场强度和磁场强度，Eb、Hb分别为出射电场强度和磁场强度，B和C为归一化的电场强度和磁场强度，ys表示目标光学基底的光学导纳；将公式(3)做近似处理，得到公式(4)：现有二维材料薄膜反射率计算公式为：将公式(1)、公式(2)、公式(3)、公式(4)，代入公式(5)中，并去掉d/λ的高次项，得到所述二维材料薄膜的光学表面反射率公式(6)：根据公式(6)的关系，得到二维材料薄膜的总厚度d，从而得到所述二维材料薄膜的堆积层数；其中，所述根据计算的所述二维材料薄膜的堆积层数，将所述二维材料薄膜沉积到所述目标光学基底上，包括以下步骤：步骤11、将石墨烯生长在铜箔上形成石墨烯薄膜，并将PMMA旋涂在所述石墨烯薄膜上；步骤12、将所述铜箔进行刻蚀去除，并将所述PMMA支撑的所述石墨烯薄膜转移至目标光学基片上；步骤13、将所述PMMA溶解去除；重复步骤11-13，直到达到所计算的石墨烯薄膜的堆积层数；其中，所述步骤11包括以下步骤：采用化学气相沉积法制作石墨烯薄膜，以甲烷为碳源，化学气相沉积反应炉温度为1000°。
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IPC信息 |
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IPC主分类号
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G02B1/115 | ||
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法律状态信息 |
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法律状态公告日
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20181002 | 法律状态
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公开 | 法律状态信息 | CN201810438500 20181002 公开 公开 |
法律状态公告日
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20181030 | 法律状态
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实质审查的生效 | 法律状态信息 | CN201810438500 20181030 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02B 1/115 |
法律状态公告日
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20200901 | 法律状态
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授权 | 法律状态信息 | CN201810438500 20200901 授权 授权 |
代理信息 |
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代理机构名称
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深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人姓名
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赵勍毅 |
