专利名称 ---【 基于压阻检测的谐振式压力传感器及其制备方法 】
| 基本信息 | |||
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申请号 |
CN201810454924.7 | 申请日 |
2018.05.11 |
公开（公告）号
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CN108516518A | 公开（公告）日
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2018.09.11 |
申请（专利权）人
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中国科学院电子学研究所
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申请人地址
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100190 北京市海淀区北四环西路19号 | ||
发明人
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陈德勇;鲁毓岚;王军波;侍小青;谢波; | 专利类型 | 发明专利 |
摘要
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一种基于压阻检测的谐振式压力传感器及其制备方法，该谐振式压力传感器包括压力敏感膜、位于压力敏感膜上的谐振器和六个锚点，该谐振器包括双端固支梁和位于双端固支梁两侧的两个驱动电极，其中该双端固支梁包括两端部和连接至该两端部的两根单梁，通过对称地在该两根单梁的根部区域进行刻蚀，在该两根单梁的根部形成体压阻，在该两端部形成相同的三电极结构，其中一个三电极结构悬空，另一个三电极结构以中间位置的电极作为接地端，以两侧位置的电极作为检测电极；该六个锚点分别位于两个三电极结构下方，将该双端固支梁固支于压力敏感膜上。本发明采用压阻检测及谐振器音叉振动方式，提高了输出信号强度，增强了抗干扰能力和稳定性。 |
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主权项
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1.一种基于压阻检测的谐振式压力传感器，包括在SOI片上集成的传感器本体，其包括：压力敏感膜，由SOI片的基底层形成；谐振器，由SOI片的器件层形成，位于所述压力敏感膜上方，该谐振器包括：双端固支梁，包括两端部和连接至该两端部的两根单梁，通过对称地在该两根单梁的根部区域进行刻蚀，在该两根单梁的根部形成体压阻，在该两端部形成相同的三电极结构，其中：一端部的三电极结构悬空，另一端部的三电极结构以中间位置的电极作为接地端，以两侧位置的电极作为检测电极；以及两个驱动电极，分别位于所述双端固支梁的两侧，在该两个驱动电极上施加直流、交流驱动电压，以静电力驱动该双端固支梁发生音叉振动，其中，所述接地端和两个检测电极能够连接至电阻/电压检测电路以测量所述体压阻上的电阻/电压随该音叉振动而产生的变化；以及六个锚点，由SOI片的绝缘层形成，分别位于所述双端固支梁的两端部的三电极结构下方，将所述双端固支梁固支于所述压力敏感膜上。 |
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IPC信息 |
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IPC主分类号
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B81B3/00(2006.01)I | ||
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IPC分类号
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B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01L1/22(2006.01)I;G01L9/04(2006.01)I | ||
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法律状态信息 |
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法律状态公告日
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2018.10.09 | 法律状态
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实质审查的生效 | 法律状态信息 | 实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 3/00 申请日:20180511 |
法律状态公告日
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2018.09.11 | 法律状态
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公开 | 法律状态信息 | 公开 |
代理信息 |
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人姓名
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喻颖 |
相似文献
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相似专利
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相似科技成果
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基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究
作者:赵全斌 
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