专利名称 ---【 制备氮化镓基纳米环结构的方法 】

基本信息
申请号
CN201810498089.7
申请日
20180522
公开(公告)号
CN108682723B
公开(公告)日
20181019
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
刘喆;冯梁森;张宁;王军喜;李晋闽; 专利类型 发明专利
摘要
一种制备氮化镓基纳米环结构的方法,包括:在GaN外延片上旋涂一层聚合物,进行第一次纳米压印;压印结束后移去第一块纳米压印模板,使聚合物呈现与第一块纳米压印模板互补的图形;去除图形凹槽底部的聚合物;将聚合物图形转移到GaN外延片上,并对GaN外延片进行清洗,去掉聚合物;在GaN外延片上再次旋涂聚合物,将第二块纳米压印模板压在第二次旋涂的聚合物上面,进行第二次纳米压印,形成图形;进行脱模和等离子体轰击;在GaN外延片上图形的表面蒸镀一层ITO或金属作为掩膜,采用剥离的方法去掉GaN外延片表面的聚合物;刻蚀,得到纳米环结构;湿法腐蚀去掉ITO或者金属和聚合物,完成纳米环结构的制备。
主权项
1.一种制备氮化镓基纳米环结构的方法,包括:步骤1:在GaN外延片上旋涂一层聚合物,将第一块纳米压印模板压在上面并施加一预定压力,进行第一次纳米压印;步骤2:压印结束后移去第一块纳米压印模板,使聚合物呈现与第一块纳米压印模板互补的图形;步骤3:采用等离子体轰击去除图形凹槽底部的聚合物;步骤4:利用ICP刻蚀工艺将聚合物图形转移到GaN外延片上,并对GaN外延片进行清洗,去掉聚合物;步骤5:在GaN外延片上再次旋涂聚合物,将第二块纳米压印模板压在第二次旋涂的聚合物上面,进行第二次纳米压印,形成图形;步骤6:重复步骤2和步骤3,进行脱模和等离子体轰击;步骤7:在GaN外延片上图形的表面蒸镀一层ITO或金属作为掩膜,采用剥离的方法去掉GaN外延片表面的聚合物;步骤8:利用ITO或者金属做掩膜进行ICP刻蚀,得到纳米环结构;步骤9:湿法腐蚀去掉ITO或者金属和聚合物,完成纳米环结构的制备;其中进行第二次纳米压印,形成图形,第二块纳米压印模板采用与第一块纳米压印模板相同的周期排列方式,直径为纳米环结构的内环直径。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L33/20

 

法律状态信息
法律状态公告日
20190705
法律状态
授权 法律状态信息
CN201810498089 20190705 授权 授权
法律状态公告日
20181113
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201810498089 20181113 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/20
法律状态公告日
20181019
法律状态
公开 法律状态信息
CN201810498089 20181019 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
汤宝平

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息


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