专利名称 ---【 ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法 】

基本信息
申请号
CN202010800925.X
申请日
20200811
公开(公告)号
CN111785795A
公开(公告)日
20201016
申请(专利权)人
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人地址
130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
发明人
刘可为;侯其超;申德振;陈星;张振中;李炳辉; 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法,其中的方法包括:S1、以有机锌化合物作为锌源,以有机镁化合物作为镁源,有机镓化合物作为镓源,以高纯氧气为氧源,利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgGaO薄膜;S2、在ZnMgGaO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜,溅射金属后将叉指电极掩膜去除,形成叉指电极;S3、在叉指电极上按压In粒,得到MSM结构的ZnMgGaO紫外探测器。与现有技术相比,本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备ZnMgGaO薄膜,通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式,使得制备的ZnMgGaO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点,进而使包含ZnMgGaO薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。
主权项
1.一种ZnMgGaO紫外探测器,其特征在于,包括从下至上依次叠加的衬底、ZnMgGaO薄膜和叉指电极。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L31/0328

 

法律状态信息
法律状态公告日
20201016
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010800925 20201016 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316
代理人姓名
曹卫良


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