专利名称 ---【 铁电浮栅存储器单元串及制备方法 】

基本信息
申请号
CN202011397046.3
申请日
20201203
公开(公告)号
CN112490248A
公开(公告)日
20210312
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
冯超;赵妙;陈朝晖;彭崇梅;王宇豪; 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种铁电浮栅存储器单元串及制备方法,包括:绝缘衬底上侧设置有沟道层,沟道层上设置有隧穿介质层,隧穿介质层上侧设置有复合单元;复合单元包括由下至上依次设置的浮栅金属层、铁电介质层和第一控制栅极金属层,其中,至少浮栅金属层和第一控制栅极金属层的两端覆盖有第一绝缘介质层;绝缘衬底上侧两端嵌装有源电极金属层和漏电极金属层。本发明提供的铁电浮栅存储器单元串,通过浮栅金属层控制电子行为,能够最大化铁电介质层的产生的铁电极化电场对电荷的束缚作用,有效延长存储时间,降低响应时间,提高铁电浮栅存储器单元串的整体性能。
主权项
1.一种铁电浮栅存储器单元串,其特征在于,包括:绝缘衬底;所述绝缘衬底上侧设置有沟道层,所述沟道层上设置有隧穿介质层,所述隧穿介质层上侧设置有复合单元;所述复合单元包括由下至上依次设置的浮栅金属层、铁电介质层和第一控制栅极金属层,其中,所述浮栅金属层的两端和第一控制栅极金属层的两端均设置有第一绝缘介质层;所述绝缘衬底上侧两端嵌装有源电极金属层和漏电极金属层。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L27/11524

 

法律状态信息
法律状态公告日
20210312
法律状态
公开 法律状态信息
CN202011397046 20210312 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
鄢功军


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