专利名称 ---【 异质键合结构及制备方法 】 全文链接

基本信息
申请号
CN202110379342.9
申请日
20210408
公开(公告)号
CN115206811A
公开(公告)日
20221018
科技资源标识
CSTR:32117.16.20210408.CN202110379342.9
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050 上海市长宁区长宁路865号
发明人
欧欣;瞿振宇;游天桂;徐文慧 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种异质键合结构及制备方法,通过对异质衬底进行离子注入与退火,在异质衬底中形成结构松散层,以容纳亲水性键合过程中界面处产生的水汽,以及离子束剥离与转移工艺中键合界面处的离子和气体分子,解决了亲水性键合过程中键合界面处水汽聚集引起的起泡问题和利用离子束剥离与转移技术进行半导体材料异质集成时注入离子聚集在键合界面处引起的电场拥簇和起泡的问题,优化了异质键合工艺,提高了异质衬底与键合材料的界面质量,以及利用该异质键合结构制成的器件的可靠性,对由异质键合结构制成的器件的发展意义重大。
主权项
1.一种异质键合结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供键合材料晶片,所述键合材料晶片的一表面为抛光面;提供异质衬底,所述异质衬底的一表面为抛光面;自所述异质衬底的抛光面进行离子注入,于所述异质衬底中形成掺杂层;将所述键合材料晶片的抛光面与所述异质衬底的抛光面键合,制备复合结构;对所述复合结构进行退火处理,其中,所述掺杂层中的掺杂离子与所述异质衬底反应转化为结构松散层,获得异质键合结构,所述异质键合结构包括依次叠置的所述异质衬底、结构松散层及键合材料晶片。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/50

 

法律状态信息
法律状态公告日
20221018
法律状态
公开 法律状态信息
CN202110379342 20221018 公开 公开
法律状态公告日
20221104
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN202110379342 20221104 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L21/50

 

代理信息
代理机构名称
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人姓名
余明伟


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