专利名称 ---【 氟硅酸钪铷锂非线性光学晶体及其制备方法和应用 】 全文链接

基本信息
申请号
CN202110381817.8
申请日
20210409
公开(公告)号
CN115198343A
公开(公告)日
20221018
科技资源标识
CSTR:32117.16.20210409.CN202110381817.8
申请(专利权)人
中国科学院理化技术研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村东路29号
发明人
夏明军;唐川;李如康 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开一种氟硅酸钪铷锂化合物和氟硅酸钪铷锂非线性光学晶体。氟硅酸钪铷锂非线性光学晶体具有非中心对称结构,属于三方晶系,可采用助熔剂法或水热法制备出高质量、大尺寸的晶体。该晶体的非线性光学效应与KDP晶体相近;同时该晶体具有对称性高、透光范围宽,特别是在紫外区间具有宽的透光范围,且物化性能稳定,机械性能好,不易碎和潮解,易于切割、抛光加工和保存等优点,在制备激光非线性光学复合功能器件和制备压电器件方面具有良好的应用前景。
主权项
1.一种氟硅酸钪铷锂化合物,其特征在于,所述氟硅酸钪铷锂化合物的化学式为Rb10Li3Sc4Si12O36F。

 

IPC信息
IPC主分类号
C30B7/14

 

法律状态信息
法律状态公告日
20221018
法律状态
公开 法律状态信息
CN202110381817 20221018 公开 公开
法律状态公告日
20221104
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN202110381817 20221104 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B7/14

 

代理信息
代理机构名称
北京正理专利代理有限公司 11257
代理人姓名
高东丽


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