专利名称 ---【 Chevrel相的Mo6S8与MXene结构的Mn+1CnTx的复合材料 】 全文链接

基本信息
申请号
CN202110384756.0
申请日
20210409
公开(公告)号
CN115207343A
公开(公告)日
20221018
科技资源标识
CSTR:32117.16.20210409.CN202110384756.0
申请(专利权)人
中国科学院物理研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村南三街8号
发明人
仝毓昕;张庆华;谷林 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种Chevrel相Mo6S8与MXene结构的Mn+1CnTx复合材料及其制备方法及其应用。Chevrel相Mo6S8具有良好的电子电导和离子电导,MXene结构的Mn+1CnTx的电子电导很高,并且具有较高的比表面积,以上两相的复合材料可以制备免导电添加剂的电极,能够应用到二次离子电池中,另外该复合材料也可以应用于催化领域与电容器储能领域。
主权项
1.一种Chevrel相的Mo6S8与MXene结构的Mn+1CnTx的复合材料,其特征在于,其中:M选自以下一种或多种元素:Sc,Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta;优选为Ti或V;Tx选自以下一种或多种官能团:‑F、‑OH、‑H;优选为‑F;和n=1,2或3。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01M4/58

 

法律状态信息
法律状态公告日
20221018
法律状态
公开 法律状态信息
CN202110384756 20221018 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521
代理人姓名
刘丹妮;姚望舒


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