专利名称 ---【 硅基探测器及其制作方法 】 全文链接

基本信息
申请号
CN202210338297.7
申请日
20220401
公开(公告)号
CN114927589A
公开(公告)日
20220819
科技资源标识
CSTR:32117.16.20220401.CN202210338297.7
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
孙朋;傅剑宇;许高博;丁明正;殷华湘;陈大鹏 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种硅基探测器及其制作方法,该硅基探测器通过设计氧化隔离层的厚度由中部凹槽处向边缘处呈递增趋势,由此使得在离子注入时,第一掺杂区边缘处的纵向掺杂深度比中间位置处的纵向掺杂深度要小,减小了注入区边缘位置处的曲率;此外缩短了注入区边缘位置硅氧界面处到第二电极层的距离,使该硅氧界面位置处固定电荷的电力线能部分终止于第二电极层处;提高了器件在受到X射线辐照总剂量效应下的击穿电压,降低器件的暗电流,使得硅基探测器具有较高的可靠性。
主权项
NULL

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L31/0352

 

法律状态信息
法律状态公告日
20220819
法律状态
公开 法律状态信息
CN202210338297 20220819 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
佟林松


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