专利名称 ---【 一种基于平面芯片的全内反射荧光显微镜系统 】 全文链接

基本信息
申请号
CN202210828859.6
申请日
20220715
公开(公告)号
CN115097617A
公开(公告)日
20220923
科技资源标识
CSTR:32117.16.20220715.CN202210828859.6
申请(专利权)人
中国科学技术大学
申请人地址
230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
发明人
范泽滔;张斗国 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种基于平面芯片的全内反射荧光显微镜系统,包括:像面探测器、成像管镜、550nm长通滤波片、空气物镜、平面芯片、532nm激发光光源。其中平面芯片由承载样品的盖玻片、控制光流的多层介质薄膜及提供大入射波矢的散射层组成。将未准直的激光光束入射到二氧化钛散射层上,散射光入射到平面芯片中的光子晶体,由光子晶体对入射的散射光的角度进行筛选,使大角度的光入射到盖玻片,激发其表面附近的荧光分子。被激发的荧光由空气物镜收集,经过550nm长通滤波片有效滤去激发光束,从而显微镜系统只收集荧光信号。本发明首次利用多层介质薄膜的带隙结构来实现全内反射荧光的激发,提高了荧光成像质量。
主权项
1.一种基于平面芯片的全内反射荧光显微镜系统,其特征在于:包括像面探测器(1)、成像管镜(2)、550nm长通滤波片(3)、空气物镜(4)、平面芯片(5)和532nm激发光光源(6);所述平面芯片(5)由盖玻片(7)、多层介质薄膜(8)及散射层(9)通过折射率匹配油黏附组成;其中,所述的532nm激发光光源(6)发出激发波长为532nm的光束,激发光束入射到平面芯片(5)中的散射层(9)后被均匀散射形成散射光,入射到所述多层介质薄膜(8)中,角度小于全内反射角的散射光的传播波矢被反射到散射层(9)中,角度大于全内反射角的散射光的传播波矢穿过所述多层介质薄膜(8)入射到所述盖玻片(7)上,在空气和盖玻片(7)的界面上产生指数衰减的倏逝场,激发所述盖玻片(7)承载的荧光样品,激发产生的荧光信号被空气物镜(4)收集,再经过所述550nm长通滤波片(3),滤去荧光样品散射的激发光束,所述荧光信号经过成像管镜(2)最终成像在所述像面探测器(1)上。

 

IPC信息
IPC主分类号
G02B21/00

 

法律状态信息
法律状态公告日
20220923
法律状态
公开 法律状态信息
CN202210828859 20220923 公开 公开
法律状态公告日
20221014
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN202210828859 20221014 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02B21/00

 

代理信息
代理机构名称
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251
代理人姓名
江亚平


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