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[发明专利] 相变存储器的数据读出电路 - CN102820055A
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2011
主分类号:G11C16/06(2006.01)I
一种读电压/读电流可切换的相变存储器的数据读出电路,包括:箔位电压产生电路;预充电电路;箔位电路,具有产生箔位电流的第一工作模式和产生预放大电压的第二工作模式;读模式切换电路,在读模式选择信号... -
[发明专利] 基于电镀工艺的微机械测试探卡及制作方法 - CN101214916
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2007
主分类号:B81B3/00(2006.01)I
本发明涉及一种基于电镀工艺的微机械测试探卡及制作方法。其特征在 于在硅片上,利用电镀金属镍制作形成悬臂与探针针尖;探针针尖制作在硅 片的(111)斜面上,且每个探针针尖由一个或两个探针悬臂与陶... -
[发明专利] 采用金刚石纳米颗粒制备单壁碳纳米管的方法 - CN101214950
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2008
主分类号:C01B31/02(2006.01)I
本发明公开了一种制备单壁碳纳米管的方法,属于纳米材料制备领域。 本发明采用金刚石纳米颗粒为催化剂或成核模板,以含碳的原料气体为碳纳 米管生长气源,用化学气相沉积法在卧式电阻炉中制备单壁碳纳米管... -
[发明专利] 一种相变存储器单元及其制备方法 - CN102832340A
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2012
主分类号:H01L45/00(2006.01)I
本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法,用于提升相变存储器中相变单元的操作速度;采用在相变存储单元的相变存储材料层中植入一层或几层锑Sb薄膜,以加快相变材料在可逆相变过程中的结晶速率。其中相... -
[发明专利] 用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料 - CN102832339A
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2012
主分类号:H01L45/00(2006.01)I
本发明涉及一种用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料,所述Al-Ge-Te相变材料的化学通式为Al100-x-yGexTey,其中50<x+y<100,0.25<x/y<4。Al-Ge-Te... -
[发明专利] 一种相变存储器的读写转换系统及方法 - CN102831929A
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2012
主分类号:G11C11/56(2006.01)I
本发明提供一种相变存储器的读写转换系统及方法,所述读写转换系统包括用于产生读脉冲及写脉冲的读写脉冲产生模块、用于锁存需要进行操作的目标地址的地址锁存模块、用于读取目标地址相变存储单元的数据的读... -
[发明专利] 锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法 - CN102790054A
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2011
主分类号:H01L27/092(2006.01)I
本发明提供了一种锗和Ⅲ-V混合共平面的半导体结构及其制备方法。锗和Ⅲ-V族半导体材料共平面异质集成的半导体结构包含至少一个形成在体硅衬底上的锗衬底,而另一衬底是被形成在锗半导体上的Ⅲ-V族半导... -
[发明专利] 一种选择性刻蚀制备全隔离混合晶向SOI的方法 - CN102790005A
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2011
主分类号:H01L21/762(2006.01)I
本发明公开了一种选择性刻蚀制备全隔离混合晶向SOI的方法,以及基于该方法的CMOS集成电路制备方法。本发明提出的制备方法,采用SiGe层作为第一晶向外延的虚拟衬底层,从而可以形成第一晶向的顶层... -
[发明专利] 一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 - CN101982905A
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2010
主分类号:H01S5/343(2006.01)I
本发明涉及一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法,自下而上为InP衬底、赝衬底和量子阱结构,其中赝衬底包括组分连续渐变缓冲层及单一组分缓冲层;制备方法即采用分子束外延法,首先在InP... -
[发明专利] 宽带无线通信信道频域多维参数化模型及建模方法 - CN101982953A
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2010
主分类号:H04L25/02(2006.01)I
本发明公开了一种宽带无线通信信道频域多维参数化模型及建模方法,该方法包括:步骤一,利用无线通信信道测量的发射信号频域数据和无线通信信道测量的接收信号频域采集数据计算获得信道的实时频域冲激响应;...
