郭云龙

郭云龙    

中国科学院化学研究所

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[发明专利] 一种碳纳米卷及其制备方法 - CN102020265A

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2010.12.22 主分类号:C01B31/02(2006.01)I

本发明公开一种碳纳米卷及其制备方法。该方法包括如下步骤:(1)石墨在微波辐射下进行反应得到碳纳米卷附着的石墨;(2)将所述碳纳米卷附着的石墨进行分散、离心并收集上层清液,即得所述碳纳米卷。本发

[发明专利] 一种有机场效应晶体管及其制备方法 - CN101335332

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2007.06.29 主分类号:H01L51/05(2006.01)I

本发明公开了有机场效应晶体管及其制备方法。本发明所提供的有机场效应晶体 管,包括衬底,和设于衬底上的栅极电极、绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极, 其中,有机场效应晶体管为上电极结构,源电极

[发明专利] 取代的蒽苯并噻吩化合物及其制备方法与应用 - CN101391992

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2008.11.10 主分类号:C07D333/50(2006.01)I

本发明公开了取代的蒽苯并噻吩化合物及其制备方法与应用。取代的蒽苯并噻 吩化合物,结构如式(I)所示,其中,R为烷基或芳基。本发明还提供了式(I) 化合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效;

[发明专利] 一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法 - CN101442105

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2007.11.21 主分类号:H01L51/40(2006.01)I

本发明公开了一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法。本发明的电 极结构有机场效应晶体管,包括栅极电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极, 其中,源电极和漏电极是本发明的图案化石墨烯

[发明专利] 乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用 - CN103012755A

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2012.12.14 主分类号:C08G61/12(2006.01)I

本发明公开了一种乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用。该聚合物如式I所示。本发明提供的聚合路线简单高效、原料供应广泛、合成成本低,具有很好普适性和高的重复性等优点,可以推广应用到其

[发明专利] 一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法 - CN103060907A

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2012.12.27 主分类号:C30B25/18(2006.01)I

本发明公开了一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法。该方法,包括:1)将绝缘材料在非氧化性气氛中升温至1200-1800℃,保持10-30分钟;2)保持所述步骤1)中的温度不变,向步骤1)反应体

[发明专利] 一种单层、有序排布的等角六边形石墨烯的制备方法 - CN102229426A

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2011.05.25 主分类号:C01B31/04(2006.01)I

本发明公开了一种制备单层、有序排布的等角六边形石墨烯的方法。该方法采用化学气相沉积法进行制备,包括下述步骤:将沉积有铜的衬底或表面放置有铜的衬底放入无水无氧的反应器中,加热使所述衬底的温度不低

[发明专利] 一种光传感有机场效应晶体管及其制备方法 - CN101645487

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2009.03.27 主分类号:H01L51/00(2006.01)I

本发明公开一种光传感有机场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底、位 于衬底之上的栅电极和位于栅电极之上的绝缘层;还包括位于绝缘层之上的自组装单 分子修饰层以及位于自组装单分子层之上的源电极

[发明专利] 一种溶液态石墨烯图案化排布的方法 - CN101648182

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2009.09.07 主分类号:B05D5/00(2006.01)I

本发明公开了一种溶液态石墨烯图案化排布的方法。该方法包括下述步骤:1) 处理衬底,在所述衬底表面形成石墨烯溶液的溶剂浸润区与不浸润区;2)在步骤1) 得到的衬底上滴加所述石墨烯溶液,然后将所述

[发明专利] 一种石墨烯纳米球及其制备方法 - CN102120573A

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2011.01.25 主分类号:C01B31/04(2006.01)I

本发明公开了一种石墨烯纳米球及其制备方法。该方法包括如下步骤:(1)石墨和氧化石墨烯在微波辐射下进行反应得到石墨烯纳米球附着的石墨;(2)将所述石墨烯纳米球附着的石墨进行分散、离心并收集上层清
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