魏大程

魏大程    

中国科学院化学研究所

【学科领域】


7
专利
26
论文
0
科技成果
0
软件著作权
0
其它


[发明专利] 磁场辅助化学气相沉积法 - CN101190779

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2006.11.22 主分类号:B82B3/00(2006.01)I

本发明一种磁场辅助化学气相沉积法,涉及纳米材料的制备技术, 用以制备分支型及填充型纳米材料;其是在公知的化学气相沉积过程中, 通过引入外加磁场的方法使催化剂粒子合并或分裂,来制备分支型或填 充

[发明专利] 一种纳米间隙电极的制备方法 - CN101226879

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2007.01.18 主分类号:H01L21/28(2006.01)I

一种纳米间隙电极制备方法,步骤如下:在不受电子束破坏的纳米材 料上制备具有较大间隙的电极对;在电极对的表面吸附电子束诱导沉积的 原料分子;将电子束聚焦在电极对的间隙区域;当电极间隙达到所需的宽

[发明专利] 一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法 - CN101442105

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2007.11.21 主分类号:H01L51/40(2006.01)I

本发明公开了一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法。本发明的电 极结构有机场效应晶体管,包括栅极电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极, 其中,源电极和漏电极是本发明的图案化石墨烯

[发明专利] 化学气相沉积法制备石墨烯的方法 - CN101285175

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2008.05.29 主分类号:C23C16/26(2006.01)I

本发明公开了一种石墨烯的制备方法。该方法是采用化学气相沉积法制备石墨 烯,包括如下步骤:将带有催化剂的衬底放入无氧的反应器中,使衬底的温度达到 500~1200℃,然后向所述反应器中通入含碳物

[发明专利] 掺杂石墨烯及其制备方法 - CN101289181

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2008.05.29 主分类号:C01B31/02(2006.01)I

本发明公开了一种掺杂石墨烯及其制备方法。该掺杂石墨烯是采用化学气相沉 积法制备的,包括以下步骤:将带有催化剂的衬底放入无氧的反应器中,使衬底的 温度达到500~1200℃,然后向所述反应器中通

[发明专利] 一种纳米材料及在场效应晶体管纳米器件的应用 - CN1841679

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2005.03.29 主分类号:H01L21/335(2006.01)

一种纳米材料,其直径为1~200纳米、长度为 0.01~50微米的单壁或多壁碳纳米管或其它纳米线,在该碳纳 米管上带有用氧化铝、氧化硅、或氧化铪等氧化物包覆的绝缘 层。其制备方法采用超临界流体

[发明专利] 一种分支型纳米材料的制备方法 - CN1907846

申请人:中国科学院化学研究所 申请年:2005.08.04 主分类号:C01B31/02(2006.01)

一种分支型纳米材料的制备方法,在公知的化学 气相沉积过程中通过载气气流波动使催化剂粒子合并的方法 制备分支型的纳米材料。本发明在上述方法基础上,通过控制 气流波动的时刻、幅度和载气的成分
个人标签
合作学者

曹灵超   合作次数:4

中国科学院化学研究所

刘云圻   合作次数:7

中国科学院化学研究所

于贵   合作次数:5

中国科学院化学研究所

王钰   合作次数:4

中国科学院化学研究所

付磊   合作次数:3

中国科学院化学研究所

这是标签3的内容。

这是标签4的内容。

这是标53的内容。

这是标签6的内容。

这是标签7的内容。

这是标签8的内容。

这是标签9的内容。

这是标签10的内容。

这是标11的内容。

这是标签12的内容。

这是标签13的内容。



| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器