张兴来

张兴来    

中国科学院金属研究所

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[实用新型] 一种HVPE反应产生的氯化铵气体的冷凝过滤器 - CN205055478U

申请人:中国科学院金属研究所 申请年:2015.10.26 主分类号:B01D5/00(2006.01)I

本实用新型涉及使用氢化物外延生长CaN薄膜领域,尤其涉及一种HVPE反应产生的氯化铵气体的冷凝过滤器。该冷凝过滤器的壳体上配有进气管路和出气管路,上盖上配有导流板和滤芯上密封法兰,滤芯下密封法

[实用新型] 一种耐氢氟酸试验用手套箱 - CN205272076U

申请人:中国科学院金属研究所 申请年:2015.12.23 主分类号:B25J21/02(2006.01)I

本实用新型涉及使用氢氟酸去除样品表面的氧化物和多种含氟有机物的合成试验领域,具体为一种耐氢氟酸试验用手套箱。该手套箱主箱体侧壁上设有热电偶、氧分析仪、水分析仪,主箱体顶部设有照明窗、主箱体上方

[实用新型] 一种适用于氢化物气相外延生长氮化镓膜的基片台 - CN205954147U

申请人:中国科学院金属研究所 申请年:2016.07.26 主分类号:C30B25/12(2006.01)I

本实用新型涉及使用氢化物外延生长CaN薄膜领域,尤其涉及一种适用于氢化物气相外延生长氮化镓膜的基片台。基片由定位螺钉固定在固定盘上,固定盘固定在支撑杆的一端,支撑杆的另一端穿过隔热屏、密封法兰

[实用新型] 一种手动真空放气阀门 - CN206268532U

申请人:中国科学院金属研究所 申请年:2016.11.29 主分类号:F16K24/04(2006.01)I

本实用新型涉及真空设备领域,尤其涉及一种手动真空放气阀门。该手动真空放气阀门包括阀体、第一橡胶密封圈、阀芯、第二橡胶密封圈、防尘毛毡、放气螺帽、滤气塞螺帽、滤气塞、连接法兰、变径管,具体结构如

[发明专利] 一种3D树枝状结构的光电探测器及其制作方法 - CN107591457A

申请人:中国科学院金属研究所 申请年:2016.07.08 主分类号:H01L31/0352(2006.01)I

本发明涉及一种三维(3D)树枝状结构的光电探测器及其制作方法,属于光电探测器领域。光电探测器自下而上依次有Si基底、绝缘SiO2层、3C?SiC/ZnO三维树枝状结构异质

[发明专利] 透明柔性GaN纳米棒阵列发光二极管器件及其制备方法 - CN107785355A

申请人:中国科学院金属研究所 申请年:2016.08.26 主分类号:H01L25/075(2006.01)I

本发明属于发光二极管器件领域,具体涉及一种透明柔性GaN纳米棒阵列发光二极管器件及其制备方法。自下而上依次为:透明柔性衬底、石墨烯第一透明柔性电极、GaN纳米棒阵列、石墨烯第二透明柔性电极、透

[发明专利] 透明柔性非极性GaN纳米线紫外探测器及其制备方法 - CN107785443A

申请人:中国科学院金属研究所 申请年:2016.08.26 主分类号:H01L31/0203(2014.01)I

本发明涉及属于半导体器件领域,具体涉及一种透明柔性非极性GaN纳米线紫外探测器及其制备方法,应用于紫外探测器结构和制造技术。自下而上依次有透明柔性基底、非极性GaN纳米线、透明电极,透明电极分

[发明专利] 一种基于石墨烯电极的透明LED及其制备方法 - CN107785466A

申请人:中国科学院金属研究所 申请年:2016.08.26 主分类号:H01L33/42(2010.01)I

本发明涉及属于半导体器件领域,具体涉及一种基于石墨烯电极的透明LED及其制备方法,应用于发光二极管器件结构和制备技术。基于石墨烯电极的透明LED包括第一透明衬底、第一石墨烯电极、n型GaN薄膜

[发明专利] 基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法 - CN107819046A

申请人:中国科学院金属研究所 申请年:2016.09.12 主分类号:H01L31/0352(2006.01)I

本发明属于光电探测器领域,特别是指一种基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及其制备方法。该探测器自下而上依次为Si衬底、SiO2绝缘层,绝缘层上的单根孪晶结构Ga

[发明专利] 一种二维MnGa2O4纳米片及其制备方法 - CN108117100A

申请人:中国科学院金属研究所 申请年:2016.11.29 主分类号:C01G45/00(2006.01)I

本发明属于二维纳米材料领域,具体涉及一种二维MnGa2O4纳米片及其制备方法。取硝酸镓和二氯化锰溶解于水和乙二胺的混合溶液中,溶解的混合溶液在反应温
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