赵雷

赵雷    研究员

中国科学院电工研究所

研究员【学科领域】能源与电工新材料


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[发明专利] 一种基于纳米压印技术制备晶硅太阳电池局域背接触的方法 - CN101359701A

申请人:中国科学院电工研究所 申请年:20080919 主分类号:H01L31/18

一种基于纳米压印技术制备晶硅太阳电池局域背接触的方法。步骤如下:制备具有局域接触图形的纳米压印标准模板(1);在晶硅衬底(2)背面淀积介质钝化层(3);采用纳米压印技术将标准模板上的图形转移到

[发明专利] 一种太阳电池前电极制备方法 - CN101562217A

申请人:中国科学院电工研究所 申请年:20090522 主分类号:H01L31/18

一种太阳电池前电极的制备方法,首先制备出不连续的点状电极,然后通过电镀技术将 点状电极连接起来,实现电极对电流的收集与输运,但点状电极之间仍有介质膜存在起钝化 作用。所述不连续点状电极采用光刻

[发明专利] 一种剥离阳极氧化铝膜的方法 - CN101603193A

申请人:中国科学院电工研究所 申请年:20090710 主分类号:C25D11/18

一种剥离阳极氧化铝膜的方法,其特征是在阳极氧化过程完毕后,逐步降低电压,直 至电压降到1伏为止;然后将铝片用高纯水清洗干净,在磷酸溶液中超声5-30分钟;最 后将铝片取出,用高纯水清洗干净,采

[发明专利] 一种用于薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的陷光结构 - CN101866961A

申请人:中国科学院电工研究所 申请年:20100609 主分类号:H01L31/0392

一种用于薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的陷光结构,所述的陷光结构包括:晶硅衬底(2)、在所述晶硅衬底(2)上的掺杂薄膜硅层(3)、在所述掺杂薄膜硅层(3)上的透明导电电极(4),以及在所述掺杂薄

[发明专利] 一种电容式等离子体电极的上电极 - CN104869740B

申请人:中国科学院电工研究所 申请年:20150520 主分类号:H05H1/20

一种电容式等离子体电极的上电极,为轴对称结构,分为上盖及直筒(25)两部分,上盖及直筒(25)焊接为一体。上盖包括两个直径不同金属直筒、两个内外径不同金属圆环及第一绝缘环(7)。上盖中,小直径

[实用新型] 一种气体配气装置 - CN204825047U

申请人:中国科学院电工研究所 申请年:20150417 主分类号:C23C16/455

一种气体配气装置,包括大流量气体管道及小流量气体管道。小流量气体管道的气体出口端穿过大流量气体管道的管壁,插入到大流量气体管道中并与大流量气体管道焊接固定。大流量气体管道的气体进口与大流量气体

[实用新型] 一种进气混气装置 - CN204589298U

申请人:中国科学院电工研究所 申请年:20150417 主分类号:C23C16/455

一种进气混气装置,由气体管道簇及直筒两部分组成,气体管道簇插入直筒内。直筒的一端为一簇气体管道,为气体流入端;直筒的另一端为一通孔,为混合气体流出端。气体管道簇中,布置于圆盘中心的一根气体管道

[发明专利] 具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法 - CN107742604A

申请人:中国科学院电工研究所 申请年:20171019 主分类号:H01L21/02

一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法,采用直流磁控溅射法。以二氧化铪(HfO2)掺杂量为1.5~10wt.%的In2O3陶瓷靶为靶材,单晶硅作为衬底,纯度99.99%以上的高纯氩气

[发明专利] 用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜及其制备方法 - CN108183137B

申请人:中国科学院电工研究所 申请年:20171228 主分类号:H01L31/0216

一种用于晶硅异质结太阳电池的复合导电减反膜,由一层折射率为1.8~2.1的常规氢铪共掺氧化铟薄膜及一层折射率为1.4~1.6的纳米柱氢铪共掺氧化铟薄膜组成。常规氢铪共掺氧化铟薄膜沉积在太阳电池

[发明专利] 一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法 - CN110265296A

申请人:中国科学院电工研究所 申请年:20190625 主分类号:H01L21/306

本发明提供了一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法,属于半导体刻蚀技术领域。本发明以固体MnO2作为氧化剂,而HF和其他非氧化性酸用于提供可增强固体M
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合作学者

李海玲   合作次数:6

中国科学院电工研究所

周春兰   合作次数:9

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王光红   合作次数:5

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刁宏伟   合作次数:15

中国科学院电工研究所

王文静   合作次数:34

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